IRG4BC20FPBF,864-0892,Infineon IRG4BC20FPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon IRG4BC20FPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRG4BC20FPBF
库存编号：
864-0892
Infineon IRG4BC20FPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IRG4BC20FPBF产品详细信息

单 IGBT 高达 20A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能

IRG4BC20FPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.54mm  
  尺寸  10.54 x 4.69 x 15.24mm  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  15.24mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1 → 8kHz  
  宽度  4.69mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  60 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  16 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IRG4BC20FPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.54mm  Infineon 长度 10.54mm  IGBT 晶体管 长度 10.54mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.54mm   尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm  Infineon 尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 15.24mm   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 15.24mm  Infineon 高度 15.24mm  IGBT 晶体管 高度 15.24mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 15.24mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 1 → 8kHz  Infineon 开关速度 1 → 8kHz  IGBT 晶体管 开关速度 1 → 8kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 1 → 8kHz   宽度 4.69mm  Infineon 宽度 4.69mm  IGBT 晶体管 宽度 4.69mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.69mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 60 W  Infineon 最大功率耗散 60 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 60 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 60 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 16 A  Infineon 最大连续集电极电流 16 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 16 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 16 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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IRG4BC20FPBF
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IGBT 600V 16A 60W TO220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRG4BC20FPBF
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IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz

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IGBT

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRG4BC20FPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRG4BC20FPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IGBT, 600V, 16A, TO-220

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IRG4BC20FPBF
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600V FAST 1-8 KHZ DISCRETE IGBT IN A TO-220AB PACKAGE

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IRG4BC20FPBF
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IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.66 V Current release time: 210 ns Power dissipation: 60 W

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Infineon Technologies - IRG4BC20FPBF - IGBT 600V 16A 60W TO220AB		Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB

型号：IRG4BC20FPBF
仓库库存编号：IRG4BC20FPBF-ND
别名：*IRG4BC20FPBF <br>SP001547932 <br>

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IRG4BC20FPBF
INFINEON IRG4BC20FPBF		8650349

INFINEON

单晶体管, IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

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Infineon - IRG4BC20FPBF - Infineon IRG4BC20FPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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IRG4BC20FPBF
品牌：
Infineon
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IRG4BC20FPBF|International RectifierIRG4BC20FPBF
International Rectifier		IGBT N-CH DIODE 600V 16A TO220AB
Rohs

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IR - IRG4BC20FPBF - IGBT TO-220AB 600 V 16 A, IRG4BC20FPBF, IR		IR
IGBT TO-220AB 600 V 16 A, IRG4BC20FPBF, IR

型号：IRG4BC20FPBF
仓库库存编号：171-25-321

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International Rectifier		IGBT N-CH DIODE 600V 16A TO220AB
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International Rectifier		IGBT N-CH DIODE 600V 16A TO220AB
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IRG4BC20FPBF产品技术参数资料

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