IRGB6B60KPBF,543-2272,Infineon IRGB6B60KPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon IRGB6B60KPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRGB6B60KPBF
库存编号：
543-2272
Infineon IRGB6B60KPBF
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IRGB6B60KPBF
库存编号:IRGB6B60KPBF-ND		 Infineon Technologies AG IGBT NPT 600V 13A TO-220AB0
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IRGB6B60KPBF产品详细信息

单 IGBT 高达 20A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能

IRGB6B60KPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.54mm  
  尺寸  10.54 x 4.69 x 8.77mm  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  8.77mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.69mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  13 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.54mm  Infineon 长度 10.54mm  IGBT 晶体管 长度 10.54mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.54mm   尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  Infineon 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 8.77mm  Infineon 高度 8.77mm  IGBT 晶体管 高度 8.77mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 8.77mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.69mm  Infineon 宽度 4.69mm  IGBT 晶体管 宽度 4.69mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.69mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 13 A  Infineon 最大连续集电极电流 13 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 13 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 13 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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IRGB6B60KPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT 600V 13A 90W TO220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz IGBT

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRGB6B60KPBF)

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IGBT, 600V, 13A, TO-220

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IRGB6B60KPBF
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600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT IN A TO-220AB PACKAGE

RoHS: Compliant

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IRGB6B60KPBF
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IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.8 V Current release time: 13.2 ns Power dissipation: 90 W

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Infineon Technologies - IRGB6B60KPBF - IGBT 600V 13A 90W TO220AB		Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB

型号：IRGB6B60KPBF
仓库库存编号：IRGB6B60KPBF-ND
别名：*IRGB6B60KPBF <br>SP001537610 <br>

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Infineon - IRGB6B60KPBF - Infineon IRGB6B60KPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRGB6B60KPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
543-2272
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IR - IRGB6B60KPBF - IGBT TO-220AB 600 V 13 A, IRGB6B60KPBF, IR		IR
IGBT TO-220AB 600 V 13 A, IRGB6B60KPBF, IR

型号：IRGB6B60KPBF
仓库库存编号：171-00-704

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IRGB6B60KPBF
INFINEON IRGB6B60KPBF		8650837

INFINEON

单晶体管, IGBT, 13 A, 1.8 V, 90 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

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IRGB6B60KPBF|International RectifierIRGB6B60KPBF
International Rectifier		IGBT ULTRA FAST 600V 13A TO220AB
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IRGB6B60KPBF产品技术参数资料

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