IRG4BC20KDPBF,543-0125,Infineon IRG4BC20KDPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon IRG4BC20KDPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRG4BC20KDPBF
库存编号：
543-0125
Infineon IRG4BC20KDPBF
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IRG4BC20KDPBF
库存编号:IRG4BC20KDPBF-ND		 Infineon Technologies AG IGBT 600V 16A TO-220AB0
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IRG4BC20KDPBF产品详细信息

Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRG4BC20KDPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.54mm  
  尺寸  10.54 x 4.69 x 8.77mm  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  8.77mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.69mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  16 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.54mm  Infineon 长度 10.54mm  IGBT 晶体管 长度 10.54mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.54mm   尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  Infineon 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 8.77mm  Infineon 高度 8.77mm  IGBT 晶体管 高度 8.77mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 8.77mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.69mm  Infineon 宽度 4.69mm  IGBT 晶体管 宽度 4.69mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.69mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 16 A  Infineon 最大连续集电极电流 16 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 16 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 16 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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IGBT 600V 16A 60W TO220AB

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IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRG4BC20KDPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRG4BC20KDPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IGBT, N, 600V, 16A, TO-220AB

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IRG4BC20KDPBF Series 600 V 9 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB

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IRG4BC20KDPBF, IGBT Transistor, 16 A 600 V, 3-Pin TO-220AB

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IRG4BC20KDPBF
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IRG4BC20KDPBF
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IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.8 V Current release time: 160 ns Power dissipation: 60 W

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IRG4BC20KDPBF
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Transistor: IGBT, 600V, 16A, 60W, TO220AB

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Infineon Technologies - IRG4BC20KDPBF - IGBT 600V 16A 60W TO220AB		Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB

型号：IRG4BC20KDPBF
仓库库存编号：IRG4BC20KDPBF-ND
别名：*IRG4BC20KDPBF <br>SP001544718 <br>

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IRG4BC20KDPBF
INFINEON IRG4BC20KDPBF		1463244

INFINEON

单晶体管, IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

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Infineon - IRG4BC20KDPBF - Infineon IRG4BC20KDPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRG4BC20KDPBF
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品牌：
Infineon
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IRG4BC20KDPBF|International RectifierIRG4BC20KDPBF
International Rectifier		IGBT N-CH W/DIO 600V 16A TO220AB
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IR - IRG4BC20KDPBF - IGBT TO-220AB 600 V 16 A, IRG4BC20KDPBF, IR		IR
IGBT TO-220AB 600 V 16 A, IRG4BC20KDPBF, IR

型号：IRG4BC20KDPBF
仓库库存编号：171-00-376

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IRG4BC20KDPBF|International RectifierIRG4BC20KDPBF
International Rectifier		IGBT N-CH W/DIO 600V 16A TO220AB
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IRG4BC20KDPBF|International RectifierIRG4BC20KDPBF
International Rectifier		IGBT N-CH W/DIO 600V 16A TO220AB
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IRG4BC20KDPBF产品技术参数资料

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