ATF-36163-G | Broadcom ATF-36163-G HEMT, 40 mA, 3 V, 单四源配置, 6引脚 SOT-363封装

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ATF-36163-TR1G 库存编号:ATF-36163-TR1G-ND	Broadcom Limited	RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363	0 起订			6-10天询价	询价查看资料
ATF-36163-TR2G 库存编号:ATF-36163-TR2G-ND	Broadcom Limited	RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363	0 起订			6-10天询价	询价查看资料
ATF-36163-BLKG 库存编号:516-3793-ND	Broadcom Limited	RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363	0 起订			6-10天询价	询价查看资料

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ATF-36163-TR1	Agilent Technologies Inc	TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,3V V(BR)DSS,15MA I(DSS),SOT-363	2400 1起订	1+ 1054+ 2257+	￥34.75 ￥12.17 ￥10.43	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["ATF-36163-TR1"],"cvcBrand":[" Agilent Technologies Inc "],"cvcNumberAll":["1,1054,2257,"],"cvcPriceAll":["34.75,12.17,10.43,"],"maxnum":["2400"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],
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ATF-36163-G产品详细信息

N 通道 HEMT，Avago Technologies

高电子迁移率晶体管（HEMT，也称为异质结构或异质结 FET）是结型 FET，利用两种材料，具有不同带隙（即异质结），用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。
HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。
pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型，具有 E-pHEMT 设备，正成为增强模式类型。

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ATF-36163-BLKG
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Broadcom Limited

FET RF 3V 4GHZ SOT-363

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ATF-36163-BLKG
[更多]

Broadcom Limited

RF JFET Transistors Transistor GaAs High Frequency

RoHS: Compliant

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ATF-36163-BLKG
[更多]

Broadcom Limited

TRANSISTOR, GAAS, HI-FREQ

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	ATF-36163-G Avago Technologies	Transistor,RF,PHEMT,9,5dB GA,ATF-36163 暂无PDF	查价格库存查看详细

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Broadcom ATF-36163-G HEMT, 40 mA, 3 V, 单四源配置, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号：
ATF-36163-G
品牌：
Broadcom
库存编号：
138-708

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安装类型	表面贴装
长度	2.25mm
尺寸	2.25 x 1.35 x 1mm
封装类型	SOT-363
高度	1mm
宽度	1.35mm
配置	单四源
引脚数目	6
最大连续漏极电流	40 mA
最大漏门电压	-3.5V
最大漏源电压	3 V
最大栅源电压	-3 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

Broadcom ATF-36163-G HEMT, 40 mA, 3 V, 单四源配置, 6引脚 SOT-363封装

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