PDTC114EE,115,725-8483,NXP PDTC114EE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装 ,NXP
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NXP PDTC114EE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装

制造商零件编号：
PDTC114EE,115
制造商：
NXP NXP
库存编号：
725-8483
NXP PDTC114EE,115
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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PDTC114EE,115
库存编号:568-8090-6-ND		 NXP Semiconductors TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC750
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PDTC114EE,115
库存编号:568-8090-2-ND		 NXP Semiconductors TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC750
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PDTC114EE,115
库存编号:568-8090-1-ND		 NXP Semiconductors TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC750
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PDTC114EE,115产品详细信息

双电阻器数字 NPN 晶体管，Nexperia

PDTC114EE,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.8mm  
  尺寸  1.8 x 0.9 x 0.85mm  
  典型电阻比  1  
  典型输入电阻器  10 kΩ  
  封装类型  SOT-416  
  高度  0.85mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  10 V  
  最大功率耗散  150 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.15 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  100 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  30  
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PDTC114EE,115相关搜索

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  NXP 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.8mm  NXP 长度 1.8mm  数字晶体管 长度 1.8mm  NXP 数字晶体管 长度 1.8mm   尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 数字晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm   典型电阻比 1  NXP 典型电阻比 1  数字晶体管 典型电阻比 1  NXP 数字晶体管 典型电阻比 1   典型输入电阻器 10 kΩ  NXP 典型输入电阻器 10 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ  NXP 数字晶体管 典型输入电阻器 10 kΩ   封装类型 SOT-416  NXP 封装类型 SOT-416  数字晶体管 封装类型 SOT-416  NXP 数字晶体管 封装类型 SOT-416   高度 0.85mm  NXP 高度 0.85mm  数字晶体管 高度 0.85mm  NXP 数字晶体管 高度 0.85mm   晶体管类型 NPN  NXP 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  NXP 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  NXP 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.9mm  NXP 宽度 0.9mm  数字晶体管 宽度 0.9mm  NXP 数字晶体管 宽度 0.9mm   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  NXP 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 10 V  NXP 最大发射极-基极电压 10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V  NXP 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V   最大功率耗散 150 mW  NXP 最大功率耗散 150 mW  数字晶体管 最大功率耗散 150 mW  NXP 数字晶体管 最大功率耗散 150 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V  NXP 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V  NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V   最大集电极-发射极电压 50 V  NXP 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  NXP 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  NXP 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  NXP 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  数字晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP 数字晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 30  NXP 最小直流电流增益 30  数字晶体管 最小直流电流增益 30  NXP 数字晶体管 最小直流电流增益 30  
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型号 制造商 描述 操作
PDTC114EE,115
[更多]		 Nexperia

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
PDTC114EE115
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PDTC114EE115|NXPPDTC114EE115
NXP		晶体管 NPN 50V 0.1A SOT416
Rohs

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无图PDTC114EE 115
NXP Semiconductors		开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
暂无PDF 		查价格库存
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PDTC114EE,115|NXP SemiconductorsPDTC114EE,115
NXP Semiconductors		TRANS NPN 50V 100MA SOT346
Rohs

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PDTC114EE,115|NXP SemiconductorsPDTC114EE,115
NXP Semiconductors		TRANS NPN 50V 100MA SOT346
Rohs

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PDTC114EE,115|NXP SemiconductorsPDTC114EE,115
NXP Semiconductors		TRANS NPN 50V 100MA SOT346
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PDTC114EE115|NXPPDTC114EE115
NXP		晶体管 NPN 50V 0.1A SOT416
Rohs

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NXP USA Inc. - PDTC114EE,115 - TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75		NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 150mW Surface Mount SC-75

型号：PDTC114EE,115
仓库库存编号：568-8090-1-ND
别名：568-8090-1 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PDTC114EE,115
NEXPERIA PDTC114EE,115		1757984

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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PDTC114EE,115
NEXPERIA PDTC114EE,115		1757984RL

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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NXP - PDTC114EE,115 - NXP PDTC114EE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装
制造商零件编号：
PDTC114EE,115
品牌：
NXP
库存编号：
725-8483
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PDTC114EE,115产品技术参数资料

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