BCW61AE6327,857-8384,Infineon BCW61AE6327 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon BCW61AE6327 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
BCW61AE6327
库存编号：
857-8384
Infineon BCW61AE6327
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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BCW61AE6327产品详细信息

小信号 PNP 晶体管，Infineon

BCW61AE6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 0.9mm  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.9mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  -5 V  
  最大工作频率  250 MHz  
  最大功率耗散  330 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  1.05 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.55 V  
  最大集电极-发射极电压  32 V  
  最大集电极-基极电压  -32 V  
  最大直流集电极电流  100 mA  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  20  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  双极晶体管 长度 2.9mm  Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  双极晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  双极晶体管 高度 0.9mm  Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm   晶体管类型 PNP  Infineon 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  双极晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Infineon 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -5 V  Infineon 最大发射极-基极电压 -5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V   最大工作频率 250 MHz  Infineon 最大工作频率 250 MHz  双极晶体管 最大工作频率 250 MHz  Infineon 双极晶体管 最大工作频率 250 MHz   最大功率耗散 330 mW  Infineon 最大功率耗散 330 mW  双极晶体管 最大功率耗散 330 mW  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 330 mW   最大基极-发射极饱和电压 1.05 V  Infineon 最大基极-发射极饱和电压 1.05 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.05 V  Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.05 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.55 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.55 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.55 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.55 V   最大集电极-发射极电压 32 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 32 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 32 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 32 V   最大集电极-基极电压 -32 V  Infineon 最大集电极-基极电压 -32 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -32 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -32 V   最大直流集电极电流 100 mA  Infineon 最大直流集电极电流 100 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA  Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 20  Infineon 最小直流电流增益 20  双极晶体管 最小直流电流增益 20  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 20  
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型号 制造商 描述 操作
BCW61AE6327HTSA1
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TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
BCW 61A E6327
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Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

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BCW61AE6327HTSA1
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Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

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BCW61AE6327HTSA1
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Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BCW61AE6327HTSA1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
BCW61AE6327HTSA1
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Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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型号 制造商 描述 操作
BCW61AE6327
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Transistor: PNP, bipolar, 32V, 100mA, 330mW, SOT23

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Infineon Technologies - BCW61AE6327HTSA1 - TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23		Infineon Technologies
TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BCW61AE6327HTSA1
仓库库存编号：BCW61AE6327HTSA1TR-ND
别名：BCW 61A E6327 <br>BCW 61A E6327-ND <br>BCW61AE6327BTSA1 <br>BCW61AE6327XT <br>SP000010621 <br>

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Infineon - BCW61AE6327 - Infineon BCW61AE6327 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
BCW61AE6327
品牌：
Infineon
库存编号：
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BCW 61A E6327|Infineon TechnologiesBCW 61A E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR PNP AF 32V SOT-23
Rohs

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Infineon Technologies		原厂原装货
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