MMBTH10LT3G,781-4297,ON Semiconductor MMBTH10LT3G , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=25 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor MMBTH10LT3G , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=25 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
MMBTH10LT3G
库存编号：
781-4297
ON Semiconductor MMBTH10LT3G
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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MMBTH10LT3G
库存编号:MMBTH10LT3GOSCT-ND		 onsemi RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-339472
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MMBTH10LT3G
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MMBTH10LT3G
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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MMBTH10LT3G
库存编号:863-MMBTH10LT3G		 onsemi Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V19160
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MMBTH10LT1G
库存编号:863-MMBTH10LT1G		 onsemi Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN18714
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MMBTH10LT3G
库存编号:MMBTH10LT3G		 onsemi Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: MMBTH10LT3G)0
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MMBTH10LT3G产品详细信息

射频双极晶体管，ON Semiconductor

标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

MMBTH10LT3G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 2.64 x 1.11mm  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.11mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.64mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  25 V  
  最大工作频率  100 MHz  
  最大功率耗散  225 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  0.95 V 直流  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.5V 直流  
  最大集电极-发射极电压  25 V  
  最大集电极-基极电压  30 V 直流  
  最大直流集电极电流  500 mA  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  60  
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安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  ON Semiconductor 长度 3.04mm  双极晶体管 长度 3.04mm  ON Semiconductor 双极晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm  ON Semiconductor 尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm  双极晶体管 尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm  ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm   封装类型 SOT-23  ON Semiconductor 封装类型 SOT-23  双极晶体管 封装类型 SOT-23  ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.11mm  ON Semiconductor 高度 1.11mm  双极晶体管 高度 1.11mm  ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1.11mm   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.64mm  ON Semiconductor 宽度 2.64mm  双极晶体管 宽度 2.64mm  ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.64mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 25 V  ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 25 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 25 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 25 V   最大工作频率 100 MHz  ON Semiconductor 最大工作频率 100 MHz  双极晶体管 最大工作频率 100 MHz  ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz   最大功率耗散 225 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 225 mW  双极晶体管 最大功率耗散 225 mW  ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 225 mW   最大基极-发射极饱和电压 0.95 V 直流  ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V 直流  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V 直流  ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V 直流   最大集电极-发射极饱和电压 0.5V 直流  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.5V 直流  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5V 直流  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5V 直流   最大集电极-发射极电压 25 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 25 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 25 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 25 V   最大集电极-基极电压 30 V 直流  ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 30 V 直流  双极晶体管 最大集电极-基极电压 30 V 直流  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 30 V 直流   最大直流集电极电流 500 mA  ON Semiconductor 最大直流集电极电流 500 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA  ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  双极晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 60  ON Semiconductor 最小直流电流增益 60  双极晶体管 最小直流电流增益 60  ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 60  
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MMBTH10LT3G
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TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN

RoHS: Compliant

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Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V

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MMBTH10LT3G
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Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: MMBTH10LT3G)

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Trans RF BJT NPN 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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ON Semi MMBTH10LT3G NPN RF Bipolar Transistor, 0.5 A, 25 V, 3-Pin SOT-23

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ON Semiconductor - MMBTH10LT3G - ON Semiconductor MMBTH10LT3G , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=25 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
MMBTH10LT3G
品牌：
ON Semiconductor
库存编号：
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ON Semiconductor - MMBTH10LT3G - 3-Pin SOT-23 25 V 0.5 A ON Semi MMBTH10LT3G NPN RF Bipolar Transistor|70300435 | ChuangWei Electronics		ON Semiconductor
ON Semi MMBTH10LT3G NPN RF Bipolar Transistor, 0.5 A, 25 V, 3-Pin SOT-23

型号：MMBTH10LT3G
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MMBTH10LT3G|ON SemiconductorMMBTH10LT3G
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MMBTH10LT3G产品技术参数资料

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