PBSS5130T,518-1750,Nexperia PBSS5130T , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 TO-236AB封装 ,Nexperia
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Nexperia PBSS5130T , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号:
PBSS5130T
库存编号:
518-1750
Nexperia PBSS5130T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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PBSS5130T,215
库存编号:1727-3942-6-ND
Nexperia TRANS PNP 30V 1A TO-236AB2119
1起订
1+
10+
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PBSS5130T,215
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Nexperia TRANS PNP 30V 1A TO-236AB2119
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PBSS5130T,215
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3000起订
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PBSS5130T,215
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PBSS5130T215
库存编号:PBSS5130T,215
Nexperia Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PBSS5130T,215)0
18000起订
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180000+
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PBSS5130T,215
库存编号:86020278
Nexperia Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q1010
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1-2周询价 询价
PBSS5130T,215
库存编号:77793403
Nexperia Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q1010
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1-2周询价 询价
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(工作日)
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PBSS5130T,215
库存编号:8736405
Nexperia ,PNP SOT-234915
5起订
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1000+
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PBSS5130T,215
库存编号:8736405RL
Nexperia ,PNP SOT-234915
500起订
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
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PBSS5130T,215
库存编号:PBSS5130T 215
Nexperia Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V0
3000起订
3000+
6000+
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¥0.61
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1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)
操作
PBSS5130T,215
库存编号:PBSS5130T.215
Nexperia Transistor: PNP, bipolar, 30V, 1A, SOT23,TO236AB2430
1起订
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10+
100+
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¥3.77
¥2.36
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¥0.83
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
PBSS5130T Philips Semiconductors TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-23216
1起订
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PBSS5130T产品详细信息

低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

PBSS5130T产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  1 x 3 x 1.4mm  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  200 MHz  
  最大功率耗散  480 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.225 V  
  最大集电极-发射极电压  30 V  
  最大集电极-基极电压  30 V  
  最大直流集电极电流  1 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  201  
关键词         

PBSS5130T相关搜索

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Nexperia 长度 3mm  双极晶体管 长度 3mm  Nexperia 双极晶体管 长度 3mm   尺寸 1 x 3 x 1.4mm  Nexperia 尺寸 1 x 3 x 1.4mm  双极晶体管 尺寸 1 x 3 x 1.4mm  Nexperia 双极晶体管 尺寸 1 x 3 x 1.4mm   封装类型 TO-236AB  Nexperia 封装类型 TO-236AB  双极晶体管 封装类型 TO-236AB  Nexperia 双极晶体管 封装类型 TO-236AB   高度 1mm  Nexperia 高度 1mm  双极晶体管 高度 1mm  Nexperia 双极晶体管 高度 1mm   晶体管类型 PNP  Nexperia 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Nexperia 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Nexperia 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Nexperia 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Nexperia 宽度 1.4mm  双极晶体管 宽度 1.4mm  Nexperia 双极晶体管 宽度 1.4mm   每片芯片元件数目 1  Nexperia 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Nexperia 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Nexperia 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Nexperia 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Nexperia 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Nexperia 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大工作频率 200 MHz  Nexperia 最大工作频率 200 MHz  双极晶体管 最大工作频率 200 MHz  Nexperia 双极晶体管 最大工作频率 200 MHz   最大功率耗散 480 mW  Nexperia 最大功率耗散 480 mW  双极晶体管 最大功率耗散 480 mW  Nexperia 双极晶体管 最大功率耗散 480 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.225 V  Nexperia 最大集电极-发射极饱和电压 0.225 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.225 V  Nexperia 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.225 V   最大集电极-发射极电压 30 V  Nexperia 最大集电极-发射极电压 30 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V  Nexperia 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V   最大集电极-基极电压 30 V  Nexperia 最大集电极-基极电压 30 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 30 V  Nexperia 双极晶体管 最大集电极-基极电压 30 V   最大直流集电极电流 1 A  Nexperia 最大直流集电极电流 1 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 1 A  Nexperia 双极晶体管 最大直流集电极电流 1 A   最低工作温度 -65 °C  Nexperia 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  Nexperia 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 201  Nexperia 最小直流电流增益 201  双极晶体管 最小直流电流增益 201  Nexperia 双极晶体管 最小直流电流增益 201  
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型号 制造商 描述 操作
PBSS5130T,215
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Nexperia

TRANS PNP 30V 1A SOT23

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PBSS5130T,215
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TRANS PNP 30V 1A SOT23

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TRANS PNP 30V 1A SOT23

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PBSS5130T,215
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Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
PBSS5130T,215
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Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R (Alt: PBSS5130T,215)

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Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R (Alt: PBSS5130T,215)

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Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PBSS5130T,215)

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TRANSISTOR, PNP, SOT-23

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TRANSISTOR, PNP, SOT-23

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PBSS5130T,215
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PBSS5130T Series PNP 480 mW 30 V 1 A SMT Small Signal Transistor - SOT-23

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PBSS5130T Series PNP 480 mW 30 V 1 A SMT Small Signal Transistor - SOT-23

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PBSS5130T Series PNP 480 mW 30 V 1 A SMT Small Signal Transistor - SOT-23

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NXP Semiconductors  

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Philips Semiconductors

Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-23

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Nexperia USA Inc. - PBSS5130T,215 - TRANS PNP 30V 1A SOT23
Nexperia USA Inc.
TRANS PNP 30V 1A SOT23

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 200MHz 480mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)

型号:PBSS5130T,215
仓库库存编号:1727-3942-1-ND
别名:1727-3942-1 <br>568-4346-1 <br>568-4346-1-ND <br>

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Nexperia - PBSS5130T - Nexperia PBSS5130T , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号:
PBSS5130T
品牌:
Nexperia
库存编号:
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PBSS5130T|NXPPBSS5130T
NXP
晶体管PNP SOT-23
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无图PBSS5130T 215
NXP Semiconductors
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
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无图PBSS5130T T/R
NXP Semiconductors
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
Rohs

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PBSS5130T,215|NXP SemiconductorsPBSS5130T,215
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TRANS PNP 30V 1A SOT23
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无图PBSS5130T215
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无图PBSS5130T T/R
NXP Semiconductors
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
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PBSS5130T,215|NXP SemiconductorsPBSS5130T,215
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TRANS PNP 30V 1A SOT23
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PBSS5130T|NXPPBSS5130T
NXP
晶体管PNP SOT-23
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PBSS5130T,215|NXP SemiconductorsPBSS5130T,215
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TRANS PNP 30V 1A SOT23
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PBSS5130T
NEXPERIA PBSS5130T
8736405

NEXPERIA

单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE

(EN)
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PBSS5130T
NEXPERIA PBSS5130T
8736405RL

NEXPERIA

单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE

(EN)
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QQ:800152669

PBSS5130T产品技术参数资料

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