BC 848B E6327,110-9062,Infineon BC 848B E6327 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon BC 848B E6327 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
BC 848B E6327
库存编号：
110-9062
Infineon BC 848B E6327
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BC 848B E6327产品详细信息

小信号 NPN 晶体管，Infineon

BC 848B E6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 0.9mm  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  6 V  
  最大功率耗散  330 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  900 mV  
  最大集电极-发射极饱和电压  600 mV  
  最大集电极-发射极电压  30 V  
  最大集电极-基极电压  30 V  
  最大直流集电极电流  100 mA  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  110  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  双极晶体管 长度 2.9mm  Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  双极晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  双极晶体管 高度 0.9mm  Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  双极晶体管 晶体管材料 Si  Infineon 双极晶体管 晶体管材料 Si   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  双极晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Infineon 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 6 V  Infineon 最大发射极-基极电压 6 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V   最大功率耗散 330 mW  Infineon 最大功率耗散 330 mW  双极晶体管 最大功率耗散 330 mW  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 330 mW   最大基极-发射极饱和电压 900 mV  Infineon 最大基极-发射极饱和电压 900 mV  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 900 mV  Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 900 mV   最大集电极-发射极饱和电压 600 mV  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV   最大集电极-发射极电压 30 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 30 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V   最大集电极-基极电压 30 V  Infineon 最大集电极-基极电压 30 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 30 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 30 V   最大直流集电极电流 100 mA  Infineon 最大直流集电极电流 100 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA  Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 110  Infineon 最小直流电流增益 110  双极晶体管 最小直流电流增益 110  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 110  
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型号 制造商 描述 操作
BC848BE6327HTSA1
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TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

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BC 848B E6327
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Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

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BC 848B E6433
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Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

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BC848BE6327HTSA1
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Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

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BC 848BL3 E6327
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Bipolar Transistors - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS

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Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

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BC848BE6327BTSA1
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Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BC848BE6327HTSA1)

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BC848BE6327
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Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BC 848B E6327)

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BC848BE6327HTSA1
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BC848 Series NPN 30 V 100 mA Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3

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Infineon Technologies - BC848BE6327HTSA1 - TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23		Infineon Technologies
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BC848BE6327HTSA1
仓库库存编号：BC848BE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 848B E6327CT <br>BC 848B E6327CT-ND <br>

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Infineon - BC 848B E6327 - Infineon BC 848B E6327 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
BC 848B E6327
品牌：
Infineon
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BC 848B E6327|Infineon TechnologiesBC 848B E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23
Rohs

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无图BC848B E6327
INFINEON		NPN TRANSISTOR 30V 0,1A SOT23
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无图BC848BE6327
Infineon		Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Infineon		原厂原装货
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Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23
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BC 848B E6327|Infineon TechnologiesBC 848B E6327
Infineon Technologies		TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23
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BC 848B E6327产品技术参数资料

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