PIMT1,115,508-264,NXP PIMT1, 双 PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装 ,NXP
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NXP PIMT1, 双 PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号：
PIMT1,115
制造商：
NXP NXP
库存编号：
508-264
NXP PIMT1,115
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PIMT1,115产品详细信息

小信号 PNP 晶体管，Nexperia

PIMT1,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  1 x 3.1 x 1.7mm  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  2  
  引脚数目  6  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  100 MHz  
  最大功率耗散  600 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.2 V  
  最大集电极-发射极电压  40 V  
  最大集电极-基极电压  50 V  
  最大直流集电极电流  100 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  120  
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安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  NXP 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  NXP 长度 3.1mm  双极晶体管 长度 3.1mm  NXP 双极晶体管 长度 3.1mm   尺寸 1 x 3.1 x 1.7mm  NXP 尺寸 1 x 3.1 x 1.7mm  双极晶体管 尺寸 1 x 3.1 x 1.7mm  NXP 双极晶体管 尺寸 1 x 3.1 x 1.7mm   封装类型 TSOP  NXP 封装类型 TSOP  双极晶体管 封装类型 TSOP  NXP 双极晶体管 封装类型 TSOP   高度 1mm  NXP 高度 1mm  双极晶体管 高度 1mm  NXP 双极晶体管 高度 1mm   晶体管类型 PNP  NXP 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  NXP 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 隔离式  NXP 晶体管配置 隔离式  双极晶体管 晶体管配置 隔离式  NXP 双极晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.7mm  NXP 宽度 1.7mm  双极晶体管 宽度 1.7mm  NXP 双极晶体管 宽度 1.7mm   每片芯片元件数目 2  NXP 每片芯片元件数目 2  双极晶体管 每片芯片元件数目 2  NXP 双极晶体管 每片芯片元件数目 2   引脚数目 6  NXP 引脚数目 6  双极晶体管 引脚数目 6  NXP 双极晶体管 引脚数目 6   最大发射极-基极电压 5 V  NXP 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  NXP 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大工作频率 100 MHz  NXP 最大工作频率 100 MHz  双极晶体管 最大工作频率 100 MHz  NXP 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz   最大功率耗散 600 mW  NXP 最大功率耗散 600 mW  双极晶体管 最大功率耗散 600 mW  NXP 双极晶体管 最大功率耗散 600 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V  NXP 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V  NXP 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V   最大集电极-发射极电压 40 V  NXP 最大集电极-发射极电压 40 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V  NXP 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V   最大集电极-基极电压 50 V  NXP 最大集电极-基极电压 50 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 50 V  NXP 双极晶体管 最大集电极-基极电压 50 V   最大直流集电极电流 100 mA  NXP 最大直流集电极电流 100 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA  NXP 双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 120  NXP 最小直流电流增益 120  双极晶体管 最小直流电流增益 120  NXP 双极晶体管 最小直流电流增益 120  
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PIMT1,115
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TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP

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Bipolar Transistors - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

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Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 6-Pin SC-74 T/R

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Darlington BJT

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PIMT1,115
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Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: PIMT1,115)

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Nexperia USA Inc. - PIMT1,115 - TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP		Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 100mA 100MHz 600mW Surface Mount

型号：PIMT1,115
仓库库存编号：1727-1729-1-ND
别名：1727-1729-1 <br>568-11271-1 <br>568-11271-1-ND <br>

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Nexperia USA Inc. - PIMT1,115 - TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP		Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 100mA 100MHz 600mW Surface Mount

型号：PIMT1,115
仓库库存编号：1727-1729-6-ND
别名：1727-1729-6 <br>568-11271-6 <br>568-11271-6-ND <br>

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无图PIMT1 115
NXP Semiconductors		两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
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PIMT1,115|NXP SemiconductorsPIMT1,115
NXP Semiconductors		TRANS PNP 40V 100MA 6TSOP
Rohs

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PIMT1115|NXPPIMT1115
NXP		晶体管阵列 双PNP -40V -100mA 6-SOT-457
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PIMT1,115|NXP SemiconductorsPIMT1,115
NXP Semiconductors		TRANS PNP 40V 100MA 6TSOP
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PIMT1115|NXPPIMT1115
NXP		晶体管阵列 双PNP -40V -100mA 6-SOT-457
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NXP - PIMT1,115 - NXP PIMT1, 双 PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号：
PIMT1,115
品牌：
NXP
库存编号：
508-264
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PIMT1,115|NXP SemiconductorsPIMT1,115
NXP Semiconductors		TRANS PNP 40V 100MA SOT457
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QQ:800152669

PIMT1,115产品技术参数资料

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