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安装类型	表面贴装
长度	7.1mm
尺寸	4.7 x 7.1 x 2.7mm
封装类型	MSTM
高度	4.7mm
晶体管类型	PNP
宽度	2.7mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	100 MHz
最大功率耗散	900 mW
最大基极-发射极饱和电压	1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.5 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大集电极-基极电压	50 V
最大直流集电极电流	2 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	120
关键词

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 7.1mm  Toshiba 长度 7.1mm  双极晶体管 长度 7.1mm  Toshiba 双极晶体管 长度 7.1mm   尺寸 4.7 x 7.1 x 2.7mm  Toshiba 尺寸 4.7 x 7.1 x 2.7mm  双极晶体管 尺寸 4.7 x 7.1 x 2.7mm  Toshiba 双极晶体管 尺寸 4.7 x 7.1 x 2.7mm   封装类型 MSTM  Toshiba 封装类型 MSTM  双极晶体管 封装类型 MSTM  Toshiba 双极晶体管 封装类型 MSTM   高度 4.7mm  Toshiba 高度 4.7mm  双极晶体管 高度 4.7mm  Toshiba 双极晶体管 高度 4.7mm   晶体管类型 PNP  Toshiba 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 PNP   宽度 2.7mm  Toshiba 宽度 2.7mm  双极晶体管 宽度 2.7mm  Toshiba 双极晶体管 宽度 2.7mm   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Toshiba 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Toshiba 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Toshiba 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大工作频率 100 MHz  Toshiba 最大工作频率 100 MHz  双极晶体管 最大工作频率 100 MHz  Toshiba 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz   最大功率耗散 900 mW  Toshiba 最大功率耗散 900 mW  双极晶体管 最大功率耗散 900 mW  Toshiba 双极晶体管 最大功率耗散 900 mW   最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  Toshiba 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  Toshiba 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Toshiba 最大集电极-发射极电压 50 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大集电极-基极电压 50 V  Toshiba 最大集电极-基极电压 50 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 50 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-基极电压 50 V   最大直流集电极电流 2 A  Toshiba 最大直流集电极电流 2 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A  Toshiba 双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 120  Toshiba 最小直流电流增益 120  双极晶体管 最小直流电流增益 120  Toshiba 双极晶体管 最小直流电流增益 120  

• Tr.,PNP,50V/2A,hfe=120to240,MSTM