产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
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2210 pF @ -25 V(1)
240 pF@ 25 V(1)
1690 pF@ 25 V(1)
1720 pF@ 25 V(1)
584 pF @ 100 V(3)
4270 pF @ 25 V(1)
3190 pF @ -15 V(1)
870 pF@ 25 V(1)
4300 pF @ 15 V(1)
4000 pF @ 15 V(1)
920 pF@ 25 V(2)
5200 pF @ 30 V(1)
5000 pF @ 25 V(3)
920 pF @ 25 V(1)
870 pF @ 25 V(2)
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24.8 nC @ 10 V(3)
25 nC @ 4.5 V,51 nC @ 10 V(1)
32 nC @ 10 V(3)
34 nC @ 4.5 V(1)
37 nC @ 10 V(3)
43 nC @ 10 V(2)
43.2 nC @ 10 V(1)
59 nC @ 10 V(1)
7.3 nC @ 10 V(1)
71 nC @ 10 V(2)
62 nC @ 10 V(3)
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPB80N06S405ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8995
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R380CE, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPP50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2267
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRLL2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4788
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SPD02N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2360
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRFZ44VZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4413
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48ZSPBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRFZ48ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8923
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSZ086P03NS3EG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
BSZ086P03NS3EG
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9134
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSTRLPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRF530NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2837
搜索
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPA50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPA50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7510
搜索
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPD50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7535
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034N03LG, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPP034N03LGXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0198
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRF530NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9260
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRLL2705TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3304
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6218STRLPBF, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRF6218STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2856
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPP80N06S4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6990
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRLL2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9907
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPD70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3021
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S405, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPI80N06S405
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6785
搜索
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
BSC016N06NS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4325
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LSI, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
BSC011N03LSI
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4362
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRF530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0755
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Q Q:
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