以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906DP, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PBL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ906DP
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  197-9985
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP460PBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP460PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9654
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM110N06-3M4L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5010
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2995
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS4030, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRLS4030
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9256
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  TK14A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5028
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP106-TL-H, 30 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  ATP106-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9484
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MMSF3P02HDR2G, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  MMSF3P02HDR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-2832
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  TK14A65W5,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6123
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI60R250CPAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6700
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI65R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6722
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6924
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA65R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8621
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP240N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  STP240N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7567
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  TK14N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2891
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB75NF75LT4, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  STB75NF75LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1579
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP264PBF, 38 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP264PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9787
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB55N10TM, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB55N10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0914
  
• 
  搜索

• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N100L, 12 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTH12N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7840
  
• 
  搜索

• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN62N50L, 62 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTN62N50L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7862
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB75NF75LT4, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  STB75NF75LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6778
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 110 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
• 
  搜索