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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVMBF0201NLT1G, 300 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  MVMBF0201NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1957
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P20TM, 2.3 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQD5P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9026
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5591
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STF5N60M2, 3.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  STF5N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4418
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP5N60M2, 3.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP5N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4433
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD50R1K4CEBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4607
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF5P20, 3.4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQPF5P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8772
  
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• Microchip N沟道 Si MOSFET LND01K1-G, 330 mA, Vds=9 V, 5引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  LND01K1-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  912-5259
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA11N90C_F109, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQA11N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4890
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQA9N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4985
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP9N90C, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQP9N90C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5206
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPA03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPA03N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3138
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R1K4C6XKSA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPP60R1K4C6XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6921
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF5N50CYDTU, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQPF5N50CYDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8779
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQU5P20TU, 3.7 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQU5P20TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8782
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD5N50RH, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  MDD5N50RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-6655
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R600C6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPA65R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7156
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 SPP03N60S5, 3.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPP03N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6341
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830ASPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF830ASPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4110
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPU50R1K4CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7069
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF5N50BTH, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  MDF5N50BTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-6665
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD80R1K4CE, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD80R1K4CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7159
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830APBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF830APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9434
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB5N50CTM, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQB5N50CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0918
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQPF7N65C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5301
  
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