产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
CSD19531KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4912
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPI111N15N3GAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4650
搜索
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPB014N06N, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPB014N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2921
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IRFP250NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4810
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
STW20NM60FD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0629
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250MPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IRFP250MPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4004
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3G, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPB030N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5209
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
FDP039N08B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8537
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB108N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPB108N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6996
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
STW20NM60FD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1996
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N10, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
FQA70N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4963
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3G, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPB039N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5299
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034NE7N3GHKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPP034NE7N3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6833
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N08N3G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPP037N08N3GXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0182
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB035N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPB035N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7150
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP045N10N3 G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPP045N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8378
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
FDB024N04AL7
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9462
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI037N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPI037N08N3GXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4638
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP111N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPP111N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7412
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP020N06N, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IPP020N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2919
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 214 W,
制造商零件编号:
IRFP250NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0042
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Q Q:
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