以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7490PBF, 5.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7490PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2159
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8447L, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB8447L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8995
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPD15P10PG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5300
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMN4010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3193
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI147N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2289
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8736
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LK3-13, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMN3010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1076
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2238
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0629
  
• 
  搜索

• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK46A08N1,S4X(S, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK46A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5150
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8796, 35 A，98 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8796
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0941
  
• 
  搜索

• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531Q5AT, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  CSD19531Q5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9259
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC076N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9137
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LFG-7, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMN3010LFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0531
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410TRPBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4044
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518TRPBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4048
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSTRLPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF530NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2837
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8447L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8127
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC0310AS_F127, 19 A, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC0310AS_F127
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8180
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1996
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9092
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF530NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9260
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK46E08N1, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK46E08N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5092
  
• 
  搜索