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54 nC V @ 10(1)
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10 V 时,39 常闭(4)
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PowerFLAT(1)
TO-262(2)
DPAK(12)
Micro6(1)
SOT-223(1)
TDSON(1)
TO-247(1)
TO-263(1)
Power 56(7)
PowerPAK 1212(1)
SC-89(1)
SO-8FL(1)
TO-220SIS(2)
H2PAK-2(1)
MSOP(3)
SOT-323(1)
TO-220(12)
TO-220FP(12)
Power 33(2)
TO-252(3)
IPAK(2)
MCPH3(1)
SOIC(4)
TO-220AB(7)
TO-263AB(3)
CPH(2)
D2PAK(10)
SSOT(1)
TO-252AA(1)
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0.9mm(3)
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0.6mm(1)
0.83mm(1)
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0.75mm(5)
0.7mm(1)
1.1mm(2)
11.3mm(2)
1.05mm(3)
1.3mm(1)
15.75mm(5)
16.4mm(6)
15mm(2)
16.15mm(1)
15.1mm(1)
1.7mm(1)
16.12mm(1)
16.51mm(3)
20.15mm(1)
15.3mm(1)
1mm(1)
2.39mm(6)
2.4mm(8)
6.2mm(2)
4.57mm(1)
4.83mm(9)
4.8mm(1)
4.826mm(1)
8.77mm(3)
6.22mm(2)
9.4mm(1)
9.15mm(3)
9.3mm(2)
9.8mm(1)
0.86mm(3)
16mm(1)
4.6mm(5)
重新选择
Si(90)
重新选择
隔离式(2)
单(89)
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1.2mm(1)
11.3mm(1)
15.75mm(1)
15.95mm(1)
1.6mm(3)
1.7mm(1)
2.39mm(2)
2.4mm(2)
4.7mm(2)
4.9mm(1)
6.2mm(9)
3.3mm(2)
3.15mm(1)
3.7mm(1)
3mm(3)
4.5mm(2)
4.83mm(7)
4.85mm(1)
4.45mm(1)
9.65mm(7)
6.1mm(2)
6.22mm(5)
9.652mm(1)
4mm(4)
5.15mm(1)
9.35mm(4)
7.1mm(1)
1.25mm(1)
1.75mm(1)
11.33mm(1)
4.69mm(3)
4.6mm(16)
5.4mm(1)
6mm(7)
9.17mm(1)
重新选择
Trench MOSFET(1)
功率 MOSFET(86)
重新选择
1(96)
2(2)
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N(95)
P(3)
重新选择
增强(98)
重新选择
CoolMOS P6(1)
MDmesh M5(4)
STripFET H7(4)
OptiMOS 3(2)
STripFET(2)
STripFET II(7)
D Series(1)
MDmesh K3, SuperMESH3(6)
MDmesh, SuperMESH(5)
ThunderFET(3)
UltraFET(4)
MDmesh K5, SuperMESH5(5)
TK(2)
HEXFET(22)
PowerTrench(9)
SuperFET(1)
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11(1)
3(72)
3+Tab(1)
5(1)
6(3)
8(20)
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0.9V(1)
1.3V(1)
1.2V(3)
1.4V(1)
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0.12S(1)
3.4S(1)
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33S(1)
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1.3 W(2)
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39 W(2)
80 W(1)
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52.1 W(1)
50 W(1)
7.8 W(3)
90 W(4)
96 W(1)
69 W(1)
85 W(1)
20 W(1)
25 W(3)
60 W(3)
900 mW(1)
重新选择
100 A(2)
14 A(2)
15 A(4)
13.8 A(1)
11.5 A(2)
35 A(1)
180 A(3)
150 A(1)
24 A(1)
122 A(1)
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2.3 A(1)
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171 A(1)
18 A(1)
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6.5 A(2)
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250 V(2)
525 V(3)
30 V(10)
710 V(4)
50 V(1)
40 V(9)
950 V(3)
500 v(1)
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55 V(8)
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12 mΩ(3)
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280 mΩ(2)
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6 Ω(1)
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3 mΩ(1)
28 mΩ(3)
30 mΩ(5)
7.5 mΩ(3)
3.7 mΩ(2)
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9.5 mΩ(1)
4 mΩ(2)
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-50 °C(1)
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
IRF7607TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-776
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010ZPBF, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
IRF1010ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3690
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
IRF1404ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8759
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK60ZT4, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STD5NK60ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5106
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP3NK80Z, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STP3NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5370
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010ZS, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1010ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7673
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7695
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
FDMC7660
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6285
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STD7N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9604
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STW7N95K3, 7.2 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STW7N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9806
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STF7N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0483
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STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STP5NK60ZFP, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STP5NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2912
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STP18N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2930
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STB18N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3034
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A,39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR2908
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9221
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
SI4090DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9131
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH5871-TL-H, 3.5 A, Vds=30 V, 5引脚 CPH封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
CPH5871-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0796
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8445, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
FDB8445
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0821
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
DMN4010LK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3193
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF80N10F7, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STF80N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7110
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
IRLR2908TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3354
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2734, 14 A, Vds=250 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
FDMS2734
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4942
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A06N1,S4X(S, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
TK40A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2375
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB55NF06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
STB55NF06
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7254
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2552, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 36 ns,
制造商零件编号:
FDP2552
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4812
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