品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(13)
半导体
(13)
筛选品牌
STMicroelectronics (13)
重新选择
规格选型
安装类型
长度
尺寸
典型关断延迟时间
典型接通延迟时间
典型输入电容值@Vds
典型栅极电荷@Vgs
封装类型
高度
晶体管材料
晶体管配置
宽度
类别
每片芯片元件数目
通道类型
通道模式
系列
引脚数目
最大功率耗散
最大连续漏极电流
最大漏源电压
最大漏源电阻值
最大栅阈值电压
最大栅源电压
最低工作温度
最高工作温度
最小栅阈值电压
通孔(5)
表面贴装(8)
重新选择
10.4mm(5)
10.75mm(2)
6.6mm(4)
6.5mm(2)
重新选择
10.75 x 10.4 x 4.6mm(2)
10.4 x 4.6 x 16.4mm(1)
10.4 x 4.6 x 9.3mm(1)
10.4 x 4.6 x 15.75mm(1)
10.4 x 4.6 x 9.15mm(2)
6.6 x 6.2 x 2.4mm(3)
6.6 x 2.4 x 6.2mm(1)
6.5 x 3.5 x 1.8mm(2)
重新选择
35 ns(13)
重新选择
13 ns(3)
16 ns(1)
9 ns(1)
11 ns(2)
20 ns(6)
重新选择
2200 pF V @ 25(1)
1700 pF @ 50 V(1)
330 pF@ 25 V(1)
575 pF@ 25 V(3)
330 pF @ 25 V(1)
620 pF@ 25 V(2)
680 pF V @ 25(1)
2200 pF @ 25 V(2)
2200 pF@ 25 V(1)
重新选择
18 nC @ 10 V(2)
18 nC V @ 10(1)
22.5 nC @ 10 V(3)
33.5 nC @ 10 V(3)
6.5 nC @ 10 V(2)
33.5 nC V @ 10(1)
44 nC @ 10 V(1)
重新选择
DPAK(2)
SOT-223(2)
TO-251(1)
TO-263(2)
TO-220(3)
TO-220FP(2)
TO-252(1)
重新选择
15.75mm(1)
16.4mm(1)
1.8mm(2)
2.4mm(3)
6.2mm(1)
9.15mm(2)
9.3mm(1)
4.6mm(2)
重新选择
Si(7)
重新选择
单(8)
重新选择
10.4mm(2)
2.4mm(1)
6.2mm(3)
3.5mm(2)
4.6mm(5)
重新选择
功率 MOSFET(13)
重新选择
1(13)
重新选择
N(13)
重新选择
增强(13)
重新选择
MDmesh(2)
MDmesh M5(1)
STripFET(2)
STripFET F3(4)
STripFET II(1)
MDmesh, SuperMESH(3)
重新选择
3(11)
3+Tab(2)
重新选择
110 W(5)
3.3 W(1)
3300 mW(1)
80 W(2)
90 W(2)
25 W(1)
25000 mW(1)
重新选择
14 A(1)
3 A(3)
28 A(1)
80 A(4)
6.5 A(4)
重新选择
250 V(2)
30 V(2)
55 V(4)
800 V(5)
重新选择
235 mΩ(1)
3.5 Ω(3)
75 mΩ(1)
50 mΩ(2)
8.5 mΩ(3)
0.009 Ω(1)
1.05 Ω(2)
重新选择
5V(2)
4V(4)
4.5V(3)
重新选择
±16 V(2)
±20 V(5)
±25 V(1)
±30 V(5)
重新选择
-55 °C(13)
重新选择
+175 °C(4)
+150 °C(9)
重新选择
1V(2)
2V(4)
3V(5)
重新选择
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STB50N25M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0682
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK80ZFP, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STP4NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2329
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STB60N55F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9856
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM80-1, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STD7NM80-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2717
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STF16NF25, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STF16NF25
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2767
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP7NM80, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STP7NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0180
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN4NF03L, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STN4NF03L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6676
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK80Z, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STP4NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7692
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN4NF03L, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STN4NF03L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2155
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD4NK80ZT4, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STD4NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5087
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STP60N55F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5349
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STD60N55F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9929
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STD65N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STD65N55F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9000
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号