品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
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最大功率耗散
最大连续漏极电流
最大漏源电压
最大漏源电阻值
最大栅阈值电压
最大栅源电压
最低工作温度
最高工作温度
最小栅阈值电压
通孔(79)
表面贴装(153)
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10.66mm(5)
10.31mm(17)
10.36mm(17)
10.54mm(3)
10mm(30)
10.65mm(1)
10.67mm(51)
10.63mm(1)
10.58mm(1)
2.9mm(10)
2mm(4)
3.04mm(4)
40mm(1)
3.4mm(5)
3mm(1)
4.5mm(1)
4.06mm(1)
6.1mm(3)
5.35mm(3)
5mm(9)
5.49mm(2)
6.15mm(1)
6.35mm(1)
6.5mm(10)
6.73mm(28)
5.15mm(3)
9.15mm(2)
15.87mm(4)
6mm(5)
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10.312 x 9.45 x 4.572mm(1)
10.36 x 4.52 x 9.45mm(1)
10.54 x 4.69 x 9.65mm(3)
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10.31 x 11.05 x 4.57mm(3)
10.31 x 4.57 x 9.45mm(1)
10.36 x 15.95 x 4.57mm(2)
10.363 x 4.572 x 11.177mm(1)
10.65 x 4.85 x 16.15mm(1)
10.67 x 4.83 x 11.3mm(1)
10.67 x 9.65 x 4.83mm(24)
10 x 4.4 x 15.65mm(8)
10 x 9.25 x 4.4mm(14)
10 x 4.4 x 9.25mm(8)
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49 nC @ 10 V(3)
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51 nC @ 10 V(1)
58 nC(1)
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59 nC @ 4.5 V(2)
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9.7 nC @ 10 V(1)
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91 nC @ 4.5 V(3)
98 nC(1)
98 nC @ 10 V(2)
62 nC @ 10 V(3)
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10 nC @ 10 V(6)
10 V 时，27 常闭(4)
125 nC @ 4.5 V(2)
133 nC @ 10 V(2)
16.1 nC @ 10 V(1)
172 nC(1)
22 nC @ 4.5 V(5)
236 nC @ 10 V(2)
25 nC @ 10 V(2)
33 nC @ 4.5 V(2)
60 nC @ 10 V(3)
88 nC @ 10 V(2)
99 nC @ 10 V(4)
重新选择
DirectFET L8(1)
TO-262(20)
DPAK(4)
PG-TO-263(1)
SOT-223(7)
SOT-363(1)
TDSON(15)
TO-247(2)
TO-263(30)
DSO(1)
PQFN(4)
SOT-323(3)
TO-220(25)
TO-220FP(2)
WDSON(1)
SOT-23(14)
TO-247AC(2)
SC-59(1)
TO-252(21)
IPAK(3)
PG-SOT-89(1)
SOIC(10)
TO-220AB(25)
D2PAK(28)
DirectFET(1)
HSOF(1)
TO-252AA(5)
TSDSON(3)
重新选择
0.9mm(3)
1.5mm(10)
0.53mm(1)
0.75mm(1)
0.7mm(1)
0.8mm(4)
1.02mm(4)
1.1mm(15)
1.45mm(1)
11.177mm(1)
11.3mm(1)
15.65mm(8)
15.95mm(13)
1.6mm(6)
14.61mm(1)
2.3mm(4)
2.41mm(13)
16.15mm(1)
20.7mm(4)
0.49mm(1)
16.51mm(13)
4.572mm(1)
1mm(12)
2.39mm(8)
2.4mm(1)
9.45mm(2)
4.57mm(17)
4.83mm(26)
4.4mm(14)
8.77mm(6)
9.65mm(11)
6.22mm(2)
7.49mm(1)
9.02mm(8)
9.25mm(8)
9.8mm(1)
0.85mm(2)
2.413mm(4)
重新选择
Si(218)
重新选择
隔离式(8)
单(217)
重新选择
1.4mm(4)
11.3mm(1)
15.01mm(1)
1.3mm(10)
15.95mm(2)
11.05mm(3)
1.6mm(1)
2.5mm(1)
4.572mm(1)
2.39mm(3)
40mm(1)
3.5mm(6)
3.4mm(5)
9.45mm(13)
4.52mm(1)
4.57mm(14)
4.83mm(26)
4.4mm(16)
4.82mm(5)
4.85mm(1)
5.05mm(1)
5.31mm(4)
9.65mm(25)
6.1mm(3)
6.22mm(24)
4mm(9)
5.35mm(2)
5.9mm(1)
5mm(5)
5.49mm(1)
6.15mm(2)
6.35mm(2)
5.15mm(1)
7.36mm(1)
7.1mm(2)
9.25mm(14)
1.25mm(4)
10.1mm(1)
4.69mm(3)
6.223mm(4)
重新选择
功率晶体管(3)
功率 MOSFET(197)
小信号(23)
重新选择
1(224)
2(8)
重新选择
N(210)
P(21)
N，P(1)
重新选择
消耗(2)
增强(230)
重新选择
DirectFET, HEXFET(2)
OptiMOS 5(13)
StrongIRFET(13)
OptiMOS 3(36)
OptiMOS T2(38)
OptiMOS(5)
SIPMOS(34)
HEXFET(81)
重新选择
11(1)
3(173)
4(1)
3+Tab(7)
7(14)
6(1)
8(34)
15(1)
重新选择
1.1V(2)
1.3V(13)
1.24V(1)
1.7V(1)
1.2V(30)
1.55V(1)
1.6V(1)
1V(1)
1.16V(1)
4.2V(1)
重新选择
0.13s(1)
100s(1)
120S(1)
135s(1)
140S(2)
121S(1)
153S(1)
230S(1)
280S(3)
190S(3)
110S(3)
248S(1)
264S(1)
125s(1)
149S(3)
36S(1)
320S(1)
5.4S(1)
242S(2)
249S(1)
27S(1)
200S(1)
310S(1)
32S(1)
83S(1)
75S(1)
88S(1)
4.8S(1)
73S(2)
6s(1)
10.4S(1)
150s(1)
18s(1)
210S(3)
4.4S(1)
54S(1)
重新选择
1.25 W(2)
10.8 W(1)
110 W(9)
114 W(1)
115 W(6)
1.8 W(6)
139 W(3)
107 W(7)
1 W(1)
143 W(3)
150 W(9)
2.1 W(1)
214 W(2)
36 W(2)
2.5 W(5)
140 W(4)
110000 mW(3)
167 W(7)
29 W(1)
290 W(2)
294 W(1)
188 W(9)
125 W(4)
2 W(4)
2000 mW(1)
2500 mW(1)
220000 mW(1)
280000 mW(1)
341 W(1)
250 W(8)
300000 mW(2)
300 W(7)
33 W(1)
360 mW(10)
375000 mW(3)
380 W(4)
92 W(1)
42 W(5)
375 W(11)
46 W(1)
340 W(2)
41 W(1)
380000 mW(3)
80 W(1)
78 W(1)
500 mW(5)
50 W(6)
75 W(1)
71 W(18)
81.1 W(2)
99 W(1)
68 W(1)
69 W(6)
83 W(4)
1250 mW(2)
136 W(1)
156 W(2)
160 W(3)
230 W(8)
230000 mW(2)
47 W(1)
79 W(10)
重新选择
1.17 A(1)
1.2 A(2)
100 A(12)
12 A(2)
120 A，160 A(1)
13.2 A(1)
130 mA(1)
147 A(1)
2 A、3 A(1)
200 mA(2)
195 A，270 A(2)
180 A(6)
1.9 A(2)
160 A(6)
110 A(4)
170 mA(3)
195 A(4)
2.7 A(2)
375 A(1)
18.6 A(2)
230 mA(4)
2.9 A(2)
20 A(7)
240 A，300 A(1)
210 A(5)
295 A(2)
25 A(1)
255 A(1)
293 A(1)
280 mA(2)
29 A(1)
3.4 A(1)
3.2 A(1)
75 A(1)
79 A(9)
30 A(3)
300 mA(1)
80 A(15)
330 mA(1)
9.7 A(1)
72 A(3)
43 A(7)
8 A(3)
48 A(3)
50 A(15)
57 A(1)
45 A(10)
620 mA(1)
7 A(3)
8.83 A(1)
8.8 A(3)
55 A(3)
95 A(1)
84 A(4)
86 A(1)
99 A(3)
1.8 A(1)
120 A(15)
120 A，210 A(2)
173 A(4)
18 A(1)
2.6 A(2)
200 A(2)
240 A(3)
270 A(8)
300 A(2)
305 A(1)
40 A(2)
90 A(11)
重新选择
60 V(232)
重新选择
0.0015 Ω(2)
0.0024 Ω(1)
0.0028 Ω(3)
0.003 Ω(3)
0.0034 Ω(1)
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0.13 Ω(1)
0.3 Ω(1)
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0.0021 Ω(3)
0.0027 Ω(1)
0.0063 Ω(1)
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0.047 Ω(1)
1.4 mΩ(1)
0.0014 Ω(1)
0.002 Ω(1)
0.0022 Ω(1)
0.0025 Ω(1)
0.0059 Ω(1)
0.0085 Ω(1)
0.0113 Ω(2)
0.023 Ω(1)
0.046 Ω(1)
0.09 Ω(1)
1.5 mΩ(1)
1.7 mΩ(3)
1.95 mΩ(1)
12.1 mΩ(3)
120 mΩ(1)
16.5 mΩ(1)
11.3 mΩ(2)
1.9 mΩ(1)
130 mΩ(4)
14 mΩ(2)
13.5 mΩ(2)
12 mΩ(4)
120 mΩ，300 mΩ(1)
20 MΩ(1)
17.8 mΩ(2)
17 mΩ(2)
15.8 mΩ(4)
2 mΩ(7)
11 mΩ(2)
16 mΩ(3)
150 mΩ(2)
3.2 mΩ(7)
2.4 MΩ(3)
2.5 mΩ(2)
15.5 mΩ(1)
4.1 mΩ(1)
2.2 mΩ(1)
2.8 mΩ(3)
23 mΩ(5)
3 Ω(1)
21.6 mΩ(1)
5.1 mΩ(2)
26 mΩ(2)
6 Ω(2)
4.7 MΩ(1)
4.8 mΩ(2)
400 mΩ(1)
3 mΩ(11)
3.1 mΩ(1)
3.4 mΩ(2)
3.5 Ω(2)
30 mΩ(2)
3.7 mΩ(1)
8.3 mΩ(3)
4 mΩ(4)
4 Ω(1)
75 mΩ(1)
4.4 mΩ(1)
5.2 mΩ(1)
800 mΩ(2)
9.4 mΩ(3)
7.6 mΩ(2)
8 mΩ(4)
5.6 MΩ(1)
480 mΩ(2)
6.3 mΩ(1)
8 Ω(4)
85 mΩ(1)
8.4 mΩ(4)
9 mΩ(3)
92 mΩ(2)
6 mΩ(1)
7.5 Ω(3)
8.5 mΩ(5)
0.001 Ω(1)
0.0054 Ω(1)
0.0081 Ω(1)
0.009 Ω(1)
0.0094 Ω(2)
12Ω(1)
17.9 mΩ(2)
3.3 mΩ(3)
300 mΩ(6)
4.2 mΩ(4)
5.7 mΩ(4)
5.9 mΩ(1)
7.3 mΩ(1)
8.1 mΩ(2)
8.8 mΩ(1)
9.3 mΩ(1)
重新选择
1.4V(4)
1V(1)
2.3V(2)
2.4V(3)
1.8V(2)
2.5V(15)
2.2V(18)
4.9V(2)
2V(29)
3.7V(15)
4V(105)
3V(3)
3.3V(3)
重新选择
±16 V(32)
±20 V(198)
-20 V, +20 V(2)
重新选择
-55 °C(231)
-40 °C(1)
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+150 °C(57)
重新选择
0.6V(4)
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1.5V(1)
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
BSP171P
品牌：
Infineon
库存编号：
167-942
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFB3206PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
495-574
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPD220N06L3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
110-7435
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPD350N06L G
品牌：
Infineon
库存编号：
110-7496
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFZ48VSPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
543-2250
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFP3206PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-6989
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFS3306PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-7077
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFU1018EPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-7115
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
AUIRF1010EZ
品牌：
Infineon
库存编号：
715-7655
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5106TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFH5106TR2PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
715-7787
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRLML2060TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
725-9357
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3636, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
AUIRLR3636
品牌：
Infineon
库存编号：
748-1908
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
SPB80P06P G
品牌：
Infineon
库存编号：
753-3166
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
SPB18P06P G
品牌：
Infineon
库存编号：
753-3169
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
BSC028N06LS3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
754-5241
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPP037N06L3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
754-5487
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFS7530TRLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
820-8870
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IRFS7534TRLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
820-8873
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
BSZ110N06NS3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
823-5724
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD034N06N3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPD034N06N3G
品牌：
Infineon
库存编号：
825-9168
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPB80N06S405ATMA2
品牌：
Infineon
库存编号：
826-8995
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPD50N06S4L-12
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9061
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
IPD50N06S4-09
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9175
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
BSP315PH6327XTSA1
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9238
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号：
BSR315PL6327
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9395
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
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