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12 V,5 V,9 V(1)
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±5V(1)
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5 nC @ 4.5 V(1)
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Texas Instruments LM3046M/NOPB, 五 NPN 晶体管, 50 mA, Vce=15 V, HFE:40, 120 MHz, 14引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
LM3046M/NOPB
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
100-0710
搜索
Fairchild Semiconductor KSD1616AGTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:81, 160 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
KSD1616AGTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0404
搜索
ON Semiconductor 2SD1835S-AA , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:40, 150 MHz, 3引脚 NP封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
2SD1835S-AA
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5151
搜索
Nexperia PBSS4350D , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
PBSS4350D
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-1659
搜索
Fairchild Semiconductor KSC5019MTA , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:70, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
KSC5019MTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-4500
搜索
Fairchild Semiconductor KSD5041RTA , NPN 晶体管, 5 A, Vce=20 V, HFE:150, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
KSD5041RTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-4550
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2307BDS-T1-E3, 2.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
SI2307BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4679
搜索
Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
TSM2312CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6059
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG316P, 1.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
FDG316P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3383
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG328P, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
FDG328P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3399
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG332PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
FDG332PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3403
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4424A, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
ZVN4424A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
157-4619
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
SI2325DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3263
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
SI2333DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4691
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDG311N, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
FDG311N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3374
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG315N, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
FDG315N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3380
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDG330P, 2 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
FDG330P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3393
搜索
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424A, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
ZVP4424A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
157-4625
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304BDS-T1-E3, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
SI2304BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3244
搜索
Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
SI2312BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3254
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD23203WT, 3 A, Vds=8 V, 6引脚 DSBGA封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
CSD23203WT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9949
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25304W1015T, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 DSBGA封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
CSD25304W1015T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
914-2945
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
SI2325DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0275
搜索
NXP HEF4066BP,652 模拟开关, 四单刀单掷, 12 V, 5 V, 9 V电源, 14引脚 PDIP封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
HEF4066BP,652
品牌:
NXP
库存编号:
307-200
搜索
NXP 74HC4051N 解码器和多路输出选择器, 单 8:1, 5 V电源, 16引脚 PDIP封装
规格:最大功率耗散 750 mW,
制造商零件编号:
74HC4051N
品牌:
NXP
库存编号:
791-8740
搜索
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2
邮箱:
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Q Q:
800152669
手机网站:
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