BZX85C51-TR,812-8780,Vishay BZX85C51-TR 单路 齐纳二极管, 51V 6% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装 ,Vishay
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BZX85C51-TR
Vishay BZX85C51-TR 单路 齐纳二极管, 51V 6% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
制造商零件编号:
BZX85C51-TR
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
812-8780
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BZX85C51-TR产品详细信息
齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor
硅平面齐纳二极管(电源)
适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率
BZX85C51-TR产品技术参数
安装类型
通孔
测试电流
4mA
长度
4.1mm
尺寸
2.6 (Dia.) x 4.1mm
典型电压温度系数
0.095%/°C
额定齐纳电压
51V
二极管配置
单路
封装类型
DO-41
每片芯片元件数目
1
齐纳电压容差
6%
齐纳类型
通用
引脚数目
2
直径
2.6mm
最大反向漏电流
0.5μA
最大功率耗散
1.3 W
最大齐纳阻抗
115Ω
最高工作温度
+175 °C
关键词
BZX85C51-TR相关搜索
安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
齐纳二极管 安装类型 通孔
Vishay 齐纳二极管 安装类型 通孔
测试电流 4mA
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齐纳二极管 测试电流 4mA
Vishay 齐纳二极管 测试电流 4mA
长度 4.1mm
Vishay 长度 4.1mm
齐纳二极管 长度 4.1mm
Vishay 齐纳二极管 长度 4.1mm
尺寸 2.6 (Dia.) x 4.1mm
Vishay 尺寸 2.6 (Dia.) x 4.1mm
齐纳二极管 尺寸 2.6 (Dia.) x 4.1mm
Vishay 齐纳二极管 尺寸 2.6 (Dia.) x 4.1mm
典型电压温度系数 0.095%/°C
Vishay 典型电压温度系数 0.095%/°C
齐纳二极管 典型电压温度系数 0.095%/°C
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额定齐纳电压 51V
Vishay 额定齐纳电压 51V
齐纳二极管 额定齐纳电压 51V
Vishay 齐纳二极管 额定齐纳电压 51V
二极管配置 单路
Vishay 二极管配置 单路
齐纳二极管 二极管配置 单路
Vishay 齐纳二极管 二极管配置 单路
封装类型 DO-41
Vishay 封装类型 DO-41
齐纳二极管 封装类型 DO-41
Vishay 齐纳二极管 封装类型 DO-41
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
齐纳二极管 每片芯片元件数目 1
Vishay 齐纳二极管 每片芯片元件数目 1
齐纳电压容差 6%
Vishay 齐纳电压容差 6%
齐纳二极管 齐纳电压容差 6%
Vishay 齐纳二极管 齐纳电压容差 6%
齐纳类型 通用
Vishay 齐纳类型 通用
齐纳二极管 齐纳类型 通用
Vishay 齐纳二极管 齐纳类型 通用
引脚数目 2
Vishay 引脚数目 2
齐纳二极管 引脚数目 2
Vishay 齐纳二极管 引脚数目 2
直径 2.6mm
Vishay 直径 2.6mm
齐纳二极管 直径 2.6mm
Vishay 齐纳二极管 直径 2.6mm
最大反向漏电流 0.5μA
Vishay 最大反向漏电流 0.5μA
齐纳二极管 最大反向漏电流 0.5μA
Vishay 齐纳二极管 最大反向漏电流 0.5μA
最大功率耗散 1.3 W
Vishay 最大功率耗散 1.3 W
齐纳二极管 最大功率耗散 1.3 W
Vishay 齐纳二极管 最大功率耗散 1.3 W
最大齐纳阻抗 115Ω
Vishay 最大齐纳阻抗 115Ω
齐纳二极管 最大齐纳阻抗 115Ω
Vishay 齐纳二极管 最大齐纳阻抗 115Ω
最高工作温度 +175 °C
Vishay 最高工作温度 +175 °C
齐纳二极管 最高工作温度 +175 °C
Vishay 齐纳二极管 最高工作温度 +175 °C
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BZX85C51-TR产品技术参数资料
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