MM3Z10VT1G,687-8200,ON Semiconductor MM3Z10VT1G 单路 齐纳二极管, 10V 6% 200 mW, 2引脚 SOD-323封装 ,ON Semiconductor
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MM3Z10VT1G
ON Semiconductor MM3Z10VT1G 单路 齐纳二极管, 10V 6% 200 mW, 2引脚 SOD-323封装
制造商零件编号：
MM3Z10VT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
687-8200
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MM3Z10VT1G产品详细信息
齐纳二极管 200mW，MM3Z 系列，ON Semiconductor
表面安装外壳：SOD-323 (SC-76)
MM3Z10VT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
测试电流
5mA
长度
1.7mm
尺寸
1.7 x 1.25 x 0.9mm
典型电压温度系数
6.25mV/°C
额定齐纳电压
10V
二极管配置
单路
封装类型
SOD-323
高度
0.9mm
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
1
齐纳电压容差
6%
齐纳类型
稳压器
引脚数目
2
最大反向漏电流
0.1μA
最大功率耗散
200 mW
最大齐纳阻抗
20Ω
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
MM3Z10VT1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
齐纳二极管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 齐纳二极管 安装类型 表面贴装
测试电流 5mA
ON Semiconductor 测试电流 5mA
齐纳二极管 测试电流 5mA
ON Semiconductor 齐纳二极管 测试电流 5mA
长度 1.7mm
ON Semiconductor 长度 1.7mm
齐纳二极管 长度 1.7mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 长度 1.7mm
尺寸 1.7 x 1.25 x 0.9mm
ON Semiconductor 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.9mm
齐纳二极管 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.9mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.9mm
典型电压温度系数 6.25mV/°C
ON Semiconductor 典型电压温度系数 6.25mV/°C
齐纳二极管 典型电压温度系数 6.25mV/°C
ON Semiconductor 齐纳二极管 典型电压温度系数 6.25mV/°C
额定齐纳电压 10V
ON Semiconductor 额定齐纳电压 10V
齐纳二极管 额定齐纳电压 10V
ON Semiconductor 齐纳二极管 额定齐纳电压 10V
二极管配置 单路
ON Semiconductor 二极管配置 单路
齐纳二极管 二极管配置 单路
ON Semiconductor 齐纳二极管 二极管配置 单路
封装类型 SOD-323
ON Semiconductor 封装类型 SOD-323
齐纳二极管 封装类型 SOD-323
ON Semiconductor 齐纳二极管 封装类型 SOD-323
高度 0.9mm
ON Semiconductor 高度 0.9mm
齐纳二极管 高度 0.9mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 高度 0.9mm
宽度 1.25mm
ON Semiconductor 宽度 1.25mm
齐纳二极管 宽度 1.25mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
齐纳二极管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 齐纳二极管 每片芯片元件数目 1
齐纳电压容差 6%
ON Semiconductor 齐纳电压容差 6%
齐纳二极管 齐纳电压容差 6%
ON Semiconductor 齐纳二极管 齐纳电压容差 6%
齐纳类型 稳压器
ON Semiconductor 齐纳类型 稳压器
齐纳二极管 齐纳类型 稳压器
ON Semiconductor 齐纳二极管 齐纳类型 稳压器
引脚数目 2
ON Semiconductor 引脚数目 2
齐纳二极管 引脚数目 2
ON Semiconductor 齐纳二极管 引脚数目 2
最大反向漏电流 0.1μA
ON Semiconductor 最大反向漏电流 0.1μA
齐纳二极管 最大反向漏电流 0.1μA
ON Semiconductor 齐纳二极管 最大反向漏电流 0.1μA
最大功率耗散 200 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 200 mW
齐纳二极管 最大功率耗散 200 mW
ON Semiconductor 齐纳二极管 最大功率耗散 200 mW
最大齐纳阻抗 20Ω
ON Semiconductor 最大齐纳阻抗 20Ω
齐纳二极管 最大齐纳阻抗 20Ω
ON Semiconductor 齐纳二极管 最大齐纳阻抗 20Ω
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
齐纳二极管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
齐纳二极管 最高工作温度 +150 °C
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MM3Z10VT1G产品技术参数资料
Datasheet
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