BZT55C3V3 L0 / L1,687-2876,Taiwan Semiconductor BZT55C3V3 L0 / L1 单路 齐纳二极管, 3.3V 6% 500 mW, 2引脚 Quadro MiniMelf封装 ,Taiwan Semiconductor
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Taiwan Semiconductor BZT55C3V3 L0 / L1 单路 齐纳二极管, 3.3V 6% 500 mW, 2引脚 Quadro MiniMelf封装

制造商零件编号：
BZT55C3V3 L0 / L1
库存编号：
687-2876
Taiwan Semiconductor BZT55C3V3 L0 / L1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BZT55C3V3 L0 / L1产品详细信息

齐纳二极管 500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor

小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管
电压容差为 5%
表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213)

BZT55C3V3 L0 / L1产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  测试电流  5mA  
  长度  3.7mm  
  尺寸  3.7 x 1.6 x 1.8mm  
  额定齐纳电压  3.3V  
  二极管配置  单路  
  封装类型  Quadro MiniMelf  
  高度  1.8mm  
  宽度  1.6mm  
  每片芯片元件数目  1  
  齐纳电压容差  6%  
  齐纳类型  稳压器  
  引脚数目  2  
  最大反向漏电流  2μA  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大齐纳阻抗  85Ω  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +200 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BZT55C3V3 L0 / L1产品技术参数资料

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