BZX84C8V2LT1G,545-0680,ON Semiconductor BZX84C8V2LT1G 单路 齐纳二极管, 8.2V 6% 300 mW, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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BZX84C8V2LT1G
ON Semiconductor BZX84C8V2LT1G 单路 齐纳二极管, 8.2V 6% 300 mW, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
BZX84C8V2LT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
545-0680
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BZX84C8V2LT1G产品详细信息
齐纳二极管 225mW，BZX84BxxxLT 和 BZX84CxxxLT 系列，On Semiconductor
齐纳电压容差为 2% (BZX84B) 和大约 5% (BZX84C)
表面安装外壳：SOT-23
BZX84C8V2LT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
测试电流
5mA
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.94mm
典型电压温度系数
4.7mV/°C
额定齐纳电压
8.2V
二极管配置
单路
封装类型
SOT-23
高度
0.94mm
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
齐纳电压容差
6%
齐纳类型
稳压器
引脚数目
3
最大反向漏电流
0.7μA
最大功率耗散
300 mW
最大齐纳阻抗
15Ω
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
BZX84C8V2LT1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
齐纳二极管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 齐纳二极管 安装类型 表面贴装
测试电流 5mA
ON Semiconductor 测试电流 5mA
齐纳二极管 测试电流 5mA
ON Semiconductor 齐纳二极管 测试电流 5mA
长度 2.9mm
ON Semiconductor 长度 2.9mm
齐纳二极管 长度 2.9mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
ON Semiconductor 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
齐纳二极管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
典型电压温度系数 4.7mV/°C
ON Semiconductor 典型电压温度系数 4.7mV/°C
齐纳二极管 典型电压温度系数 4.7mV/°C
ON Semiconductor 齐纳二极管 典型电压温度系数 4.7mV/°C
额定齐纳电压 8.2V
ON Semiconductor 额定齐纳电压 8.2V
齐纳二极管 额定齐纳电压 8.2V
ON Semiconductor 齐纳二极管 额定齐纳电压 8.2V
二极管配置 单路
ON Semiconductor 二极管配置 单路
齐纳二极管 二极管配置 单路
ON Semiconductor 齐纳二极管 二极管配置 单路
封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 封装类型 SOT-23
齐纳二极管 封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 齐纳二极管 封装类型 SOT-23
高度 0.94mm
ON Semiconductor 高度 0.94mm
齐纳二极管 高度 0.94mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 高度 0.94mm
宽度 1.3mm
ON Semiconductor 宽度 1.3mm
齐纳二极管 宽度 1.3mm
ON Semiconductor 齐纳二极管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
齐纳二极管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 齐纳二极管 每片芯片元件数目 1
齐纳电压容差 6%
ON Semiconductor 齐纳电压容差 6%
齐纳二极管 齐纳电压容差 6%
ON Semiconductor 齐纳二极管 齐纳电压容差 6%
齐纳类型 稳压器
ON Semiconductor 齐纳类型 稳压器
齐纳二极管 齐纳类型 稳压器
ON Semiconductor 齐纳二极管 齐纳类型 稳压器
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
齐纳二极管 引脚数目 3
ON Semiconductor 齐纳二极管 引脚数目 3
最大反向漏电流 0.7μA
ON Semiconductor 最大反向漏电流 0.7μA
齐纳二极管 最大反向漏电流 0.7μA
ON Semiconductor 齐纳二极管 最大反向漏电流 0.7μA
最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 300 mW
齐纳二极管 最大功率耗散 300 mW
ON Semiconductor 齐纳二极管 最大功率耗散 300 mW
最大齐纳阻抗 15Ω
ON Semiconductor 最大齐纳阻抗 15Ω
齐纳二极管 最大齐纳阻抗 15Ω
ON Semiconductor 齐纳二极管 最大齐纳阻抗 15Ω
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
齐纳二极管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 齐纳二极管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
齐纳二极管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 齐纳二极管 最高工作温度 +150 °C
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BZX84C8V2LT1G产品技术参数资料
BZX84C8V2LT1G
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