MMBZ33VAL,816-0541,NXP MMBZ33VAL 单向 ESD 保护二极管, 40W, 46V, 3针 SOT-23封装 ,NXP
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MMBZ33VAL
NXP MMBZ33VAL 单向 ESD 保护二极管, 40W, 46V, 3针 SOT-23封装
制造商零件编号:
MMBZ33VAL
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
816-0541
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MMBZ33VAL产品详细信息
MMBZ 系列,低电容双路 ESD 保护二极管,Nexperia
单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。
MMBZ33VAL产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1.1mm
二极管配置
共阳极
方向类型
单向
封装类型
SOT-23
峰值脉冲功率耗散
40W
高度
1.1mm
宽度
1.4mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
3
最大反向待机电压
26V
最大反向漏电流
5nA
最大峰值脉冲电流
0.87A
最大钳位电压
46V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小击穿电压
31.35V
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安装类型 表面贴装
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TVS 二极管 测试电流 1mA
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长度 3mm
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TVS 二极管 长度 3mm
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尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
NXP 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
TVS 二极管 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
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二极管配置 共阳极
NXP 二极管配置 共阳极
TVS 二极管 二极管配置 共阳极
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方向类型 单向
NXP 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
NXP TVS 二极管 方向类型 单向
封装类型 SOT-23
NXP 封装类型 SOT-23
TVS 二极管 封装类型 SOT-23
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峰值脉冲功率耗散 40W
NXP 峰值脉冲功率耗散 40W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 40W
NXP TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 40W
高度 1.1mm
NXP 高度 1.1mm
TVS 二极管 高度 1.1mm
NXP TVS 二极管 高度 1.1mm
宽度 1.4mm
NXP 宽度 1.4mm
TVS 二极管 宽度 1.4mm
NXP TVS 二极管 宽度 1.4mm
每片芯片元件数目 2
NXP 每片芯片元件数目 2
TVS 二极管 每片芯片元件数目 2
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引脚数目 3
NXP 引脚数目 3
TVS 二极管 引脚数目 3
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最大反向待机电压 26V
NXP 最大反向待机电压 26V
TVS 二极管 最大反向待机电压 26V
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最大反向漏电流 5nA
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TVS 二极管 最大反向漏电流 5nA
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最大峰值脉冲电流 0.87A
NXP 最大峰值脉冲电流 0.87A
TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 0.87A
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最大钳位电压 46V
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TVS 二极管 最大钳位电压 46V
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最低工作温度 -55 °C
NXP 最低工作温度 -55 °C
TVS 二极管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
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最小击穿电压 31.35V
NXP 最小击穿电压 31.35V
TVS 二极管 最小击穿电压 31.35V
NXP TVS 二极管 最小击穿电压 31.35V
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MMBZ33VAL产品技术参数资料
MMBZxVAL Series Double ESD Protection Diodes for Transient Overvoltage Suppression Data Sheet
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