MMBZ27VAWT1G,805-2762,ON Semiconductor MMBZ27VAWT1G 单向 TVS 二极管, 40W, 40V, 3针 SC-70封装 ,ON Semiconductor
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MMBZ27VAWT1G
ON Semiconductor MMBZ27VAWT1G 单向 TVS 二极管, 40W, 40V, 3针 SC-70封装
制造商零件编号：
MMBZ27VAWT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
805-2762
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MMBZ27VAWT1G产品详细信息
40W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON Semiconductor
SOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
MMBZ27VAWT1G产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 0.9mm
二极管配置
共阳极
方向类型
单向
封装类型
SC-70
峰值脉冲功率耗散
40W
高度
0.9mm
宽度
1.35mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
3
最大反向待机电压
22V
最大反向漏电流
0.05μA
最大峰值脉冲电流
1A
最大钳位电压
40V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小击穿电压
25.65V
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安装类型 表面贴装
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测试电流 1mA
ON Semiconductor 测试电流 1mA
TVS 二极管 测试电流 1mA
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长度 2.2mm
ON Semiconductor 长度 2.2mm
TVS 二极管 长度 2.2mm
ON Semiconductor TVS 二极管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
TVS 二极管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
ON Semiconductor TVS 二极管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
二极管配置 共阳极
ON Semiconductor 二极管配置 共阳极
TVS 二极管 二极管配置 共阳极
ON Semiconductor TVS 二极管 二极管配置 共阳极
方向类型 单向
ON Semiconductor 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
ON Semiconductor TVS 二极管 方向类型 单向
封装类型 SC-70
ON Semiconductor 封装类型 SC-70
TVS 二极管 封装类型 SC-70
ON Semiconductor TVS 二极管 封装类型 SC-70
峰值脉冲功率耗散 40W
ON Semiconductor 峰值脉冲功率耗散 40W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 40W
ON Semiconductor TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 40W
高度 0.9mm
ON Semiconductor 高度 0.9mm
TVS 二极管 高度 0.9mm
ON Semiconductor TVS 二极管 高度 0.9mm
宽度 1.35mm
ON Semiconductor 宽度 1.35mm
TVS 二极管 宽度 1.35mm
ON Semiconductor TVS 二极管 宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
TVS 二极管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor TVS 二极管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
TVS 二极管 引脚数目 3
ON Semiconductor TVS 二极管 引脚数目 3
最大反向待机电压 22V
ON Semiconductor 最大反向待机电压 22V
TVS 二极管 最大反向待机电压 22V
ON Semiconductor TVS 二极管 最大反向待机电压 22V
最大反向漏电流 0.05μA
ON Semiconductor 最大反向漏电流 0.05μA
TVS 二极管 最大反向漏电流 0.05μA
ON Semiconductor TVS 二极管 最大反向漏电流 0.05μA
最大峰值脉冲电流 1A
ON Semiconductor 最大峰值脉冲电流 1A
TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 1A
ON Semiconductor TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 1A
最大钳位电压 40V
ON Semiconductor 最大钳位电压 40V
TVS 二极管 最大钳位电压 40V
ON Semiconductor TVS 二极管 最大钳位电压 40V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
TVS 二极管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor TVS 二极管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
最小击穿电压 25.65V
ON Semiconductor 最小击穿电压 25.65V
TVS 二极管 最小击穿电压 25.65V
ON Semiconductor TVS 二极管 最小击穿电压 25.65V
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MMBZ27VAWT1G产品技术参数资料
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