NUP4201DR2G,802-4180,ON Semiconductor NUP4201DR2G 单向 TVS 二极管阵列, 500W, 25V, 8针 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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NUP4201DR2G
ON Semiconductor NUP4201DR2G 单向 TVS 二极管阵列, 500W, 25V, 8针 SOIC封装
制造商零件编号:
NUP4201DR2G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
802-4180
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NUP4201DR2G产品详细信息
瞬态电压抑制器,用于为高速数据提供 ESD 保护
NUP4201DR2G产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
二极管配置
复杂阵列
方向类型
单向
封装类型
SOIC
峰值脉冲功率耗散
500W
高度
1.5mm
宽度
4mm
每片芯片元件数目
4
引脚数目
8
最大反向漏电流
10μA
最大钳位电压
25V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小击穿电压
6V
关键词
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安装类型 表面贴装
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TVS 二极管 安装类型 表面贴装
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ON Semiconductor 测试电流 1mA
TVS 二极管 测试电流 1mA
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长度 5mm
ON Semiconductor 长度 5mm
TVS 二极管 长度 5mm
ON Semiconductor TVS 二极管 长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
TVS 二极管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor TVS 二极管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
二极管配置 复杂阵列
ON Semiconductor 二极管配置 复杂阵列
TVS 二极管 二极管配置 复杂阵列
ON Semiconductor TVS 二极管 二极管配置 复杂阵列
方向类型 单向
ON Semiconductor 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
ON Semiconductor TVS 二极管 方向类型 单向
封装类型 SOIC
ON Semiconductor 封装类型 SOIC
TVS 二极管 封装类型 SOIC
ON Semiconductor TVS 二极管 封装类型 SOIC
峰值脉冲功率耗散 500W
ON Semiconductor 峰值脉冲功率耗散 500W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 500W
ON Semiconductor TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 500W
高度 1.5mm
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TVS 二极管 高度 1.5mm
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宽度 4mm
ON Semiconductor 宽度 4mm
TVS 二极管 宽度 4mm
ON Semiconductor TVS 二极管 宽度 4mm
每片芯片元件数目 4
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 4
TVS 二极管 每片芯片元件数目 4
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引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
TVS 二极管 引脚数目 8
ON Semiconductor TVS 二极管 引脚数目 8
最大反向漏电流 10μA
ON Semiconductor 最大反向漏电流 10μA
TVS 二极管 最大反向漏电流 10μA
ON Semiconductor TVS 二极管 最大反向漏电流 10μA
最大钳位电压 25V
ON Semiconductor 最大钳位电压 25V
TVS 二极管 最大钳位电压 25V
ON Semiconductor TVS 二极管 最大钳位电压 25V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
TVS 二极管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor TVS 二极管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
最小击穿电压 6V
ON Semiconductor 最小击穿电压 6V
TVS 二极管 最小击穿电压 6V
ON Semiconductor TVS 二极管 最小击穿电压 6V
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NUP4201DR2G产品技术参数资料
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