ESDA25B1,795-8767,STMicroelectronics ESDA25B1 双向 TVS 二极管阵列, 150W, 8针 SOIC封装 ,STMicroelectronics
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ESDA25B1
STMicroelectronics ESDA25B1 双向 TVS 二极管阵列, 150W, 8针 SOIC封装
制造商零件编号:
ESDA25B1
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
795-8767
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ESDA25B1产品详细信息
Transil? 阵列双向,提供 ESD 保护,ESDA 系列,STMicroelectronics
ESDA25B1产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.65mm
二极管配置
复杂阵列
方向类型
双向
封装类型
SOIC
峰值脉冲功率耗散
150W
高度
1.65mm
宽度
4mm
每片芯片元件数目
8
引脚数目
8
最大反向待机电压
24V
最大反向漏电流
2μA
最大峰值脉冲电流
25A
最高工作温度
+125 °C
最小击穿电压
25V
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ESD保护 是
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安装类型 表面贴装
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测试电流 1mA
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长度 5mm
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TVS 二极管 长度 5mm
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尺寸 5 x 4 x 1.65mm
STMicroelectronics 尺寸 5 x 4 x 1.65mm
TVS 二极管 尺寸 5 x 4 x 1.65mm
STMicroelectronics TVS 二极管 尺寸 5 x 4 x 1.65mm
二极管配置 复杂阵列
STMicroelectronics 二极管配置 复杂阵列
TVS 二极管 二极管配置 复杂阵列
STMicroelectronics TVS 二极管 二极管配置 复杂阵列
方向类型 双向
STMicroelectronics 方向类型 双向
TVS 二极管 方向类型 双向
STMicroelectronics TVS 二极管 方向类型 双向
封装类型 SOIC
STMicroelectronics 封装类型 SOIC
TVS 二极管 封装类型 SOIC
STMicroelectronics TVS 二极管 封装类型 SOIC
峰值脉冲功率耗散 150W
STMicroelectronics 峰值脉冲功率耗散 150W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 150W
STMicroelectronics TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 150W
高度 1.65mm
STMicroelectronics 高度 1.65mm
TVS 二极管 高度 1.65mm
STMicroelectronics TVS 二极管 高度 1.65mm
宽度 4mm
STMicroelectronics 宽度 4mm
TVS 二极管 宽度 4mm
STMicroelectronics TVS 二极管 宽度 4mm
每片芯片元件数目 8
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 8
TVS 二极管 每片芯片元件数目 8
STMicroelectronics TVS 二极管 每片芯片元件数目 8
引脚数目 8
STMicroelectronics 引脚数目 8
TVS 二极管 引脚数目 8
STMicroelectronics TVS 二极管 引脚数目 8
最大反向待机电压 24V
STMicroelectronics 最大反向待机电压 24V
TVS 二极管 最大反向待机电压 24V
STMicroelectronics TVS 二极管 最大反向待机电压 24V
最大反向漏电流 2μA
STMicroelectronics 最大反向漏电流 2μA
TVS 二极管 最大反向漏电流 2μA
STMicroelectronics TVS 二极管 最大反向漏电流 2μA
最大峰值脉冲电流 25A
STMicroelectronics 最大峰值脉冲电流 25A
TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 25A
STMicroelectronics TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 25A
最高工作温度 +125 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +125 °C
TVS 二极管 最高工作温度 +125 °C
STMicroelectronics TVS 二极管 最高工作温度 +125 °C
最小击穿电压 25V
STMicroelectronics 最小击穿电压 25V
TVS 二极管 最小击穿电压 25V
STMicroelectronics TVS 二极管 最小击穿电压 25V
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ESDA25B1产品技术参数资料
ESDA25B1, Transil Array for ESD Protection Data Sheet
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