ESDR0502NMUTBG,786-2962,ON Semiconductor ESDR0502NMUTBG 单向 ESD 保护阵列, 100W, 6针 UDFN封装 ,ON Semiconductor
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ESDR0502NMUTBG
ON Semiconductor ESDR0502NMUTBG 单向 ESD 保护阵列, 100W, 6针 UDFN封装
制造商零件编号：
ESDR0502NMUTBG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
786-2962
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ESDR0502NMUTBG产品详细信息
低电容 ESD 保护阵列
ESDR0502NMUTBG产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
1.2mm
尺寸
1.2 x 1 x 0.5mm
二极管配置
复杂阵列
方向类型
单向
封装类型
UDFN
峰值脉冲功率耗散
100W
高度
0.5mm
宽度
1mm
每片芯片元件数目
4
引脚数目
6
最大反向待机电压
5.5V
最大反向漏电流
1μA
最大峰值脉冲电流
3A
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
最小击穿电压
6V
关键词
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
TVS 二极管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor TVS 二极管 安装类型 表面贴装
测试电流 1mA
ON Semiconductor 测试电流 1mA
TVS 二极管 测试电流 1mA
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长度 1.2mm
ON Semiconductor 长度 1.2mm
TVS 二极管 长度 1.2mm
ON Semiconductor TVS 二极管 长度 1.2mm
尺寸 1.2 x 1 x 0.5mm
ON Semiconductor 尺寸 1.2 x 1 x 0.5mm
TVS 二极管 尺寸 1.2 x 1 x 0.5mm
ON Semiconductor TVS 二极管 尺寸 1.2 x 1 x 0.5mm
二极管配置 复杂阵列
ON Semiconductor 二极管配置 复杂阵列
TVS 二极管 二极管配置 复杂阵列
ON Semiconductor TVS 二极管 二极管配置 复杂阵列
方向类型 单向
ON Semiconductor 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
ON Semiconductor TVS 二极管 方向类型 单向
封装类型 UDFN
ON Semiconductor 封装类型 UDFN
TVS 二极管 封装类型 UDFN
ON Semiconductor TVS 二极管 封装类型 UDFN
峰值脉冲功率耗散 100W
ON Semiconductor 峰值脉冲功率耗散 100W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 100W
ON Semiconductor TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 100W
高度 0.5mm
ON Semiconductor 高度 0.5mm
TVS 二极管 高度 0.5mm
ON Semiconductor TVS 二极管 高度 0.5mm
宽度 1mm
ON Semiconductor 宽度 1mm
TVS 二极管 宽度 1mm
ON Semiconductor TVS 二极管 宽度 1mm
每片芯片元件数目 4
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 4
TVS 二极管 每片芯片元件数目 4
ON Semiconductor TVS 二极管 每片芯片元件数目 4
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
TVS 二极管 引脚数目 6
ON Semiconductor TVS 二极管 引脚数目 6
最大反向待机电压 5.5V
ON Semiconductor 最大反向待机电压 5.5V
TVS 二极管 最大反向待机电压 5.5V
ON Semiconductor TVS 二极管 最大反向待机电压 5.5V
最大反向漏电流 1μA
ON Semiconductor 最大反向漏电流 1μA
TVS 二极管 最大反向漏电流 1μA
ON Semiconductor TVS 二极管 最大反向漏电流 1μA
最大峰值脉冲电流 3A
ON Semiconductor 最大峰值脉冲电流 3A
TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 3A
ON Semiconductor TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 3A
最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
TVS 二极管 最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor TVS 二极管 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
TVS 二极管 最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor TVS 二极管 最高工作温度 +125 °C
最小击穿电压 6V
ON Semiconductor 最小击穿电压 6V
TVS 二极管 最小击穿电压 6V
ON Semiconductor TVS 二极管 最小击穿电压 6V
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ESDR0502NMUTBG产品技术参数资料
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