PESD5V0L6US,118,508-709,NXP PESD5V0L6US,118 单向 TVS 二极管, 35W, 15V, 8针 SOIC封装 ,NXP
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PESD5V0L6US,118
NXP PESD5V0L6US,118 单向 TVS 二极管, 35W, 15V, 8针 SOIC封装
制造商零件编号:
PESD5V0L6US,118
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
508-709
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PESD5V0L6US,118产品详细信息
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, Nexperia
PESD5V0L6US,118产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.45mm
二极管配置
共阳极
方向类型
单向
封装类型
SOIC
峰值脉冲功率耗散
35W
高度
1.45mm
宽度
4mm
每片芯片元件数目
6
引脚数目
8
最大反向待机电压
5V
最大反向漏电流
0.025μA
最大峰值脉冲电流
2.5A
最大钳位电压
15V
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小击穿电压
6.4V
关键词
PESD5V0L6US,118相关搜索
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安装类型 表面贴装
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长度 5mm
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TVS 二极管 长度 5mm
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尺寸 5 x 4 x 1.45mm
NXP 尺寸 5 x 4 x 1.45mm
TVS 二极管 尺寸 5 x 4 x 1.45mm
NXP TVS 二极管 尺寸 5 x 4 x 1.45mm
二极管配置 共阳极
NXP 二极管配置 共阳极
TVS 二极管 二极管配置 共阳极
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方向类型 单向
NXP 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
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封装类型 SOIC
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TVS 二极管 封装类型 SOIC
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峰值脉冲功率耗散 35W
NXP 峰值脉冲功率耗散 35W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 35W
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高度 1.45mm
NXP 高度 1.45mm
TVS 二极管 高度 1.45mm
NXP TVS 二极管 高度 1.45mm
宽度 4mm
NXP 宽度 4mm
TVS 二极管 宽度 4mm
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每片芯片元件数目 6
NXP 每片芯片元件数目 6
TVS 二极管 每片芯片元件数目 6
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引脚数目 8
NXP 引脚数目 8
TVS 二极管 引脚数目 8
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最大反向待机电压 5V
NXP 最大反向待机电压 5V
TVS 二极管 最大反向待机电压 5V
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最大反向漏电流 0.025μA
NXP 最大反向漏电流 0.025μA
TVS 二极管 最大反向漏电流 0.025μA
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最大峰值脉冲电流 2.5A
NXP 最大峰值脉冲电流 2.5A
TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 2.5A
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最大钳位电压 15V
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TVS 二极管 最大钳位电压 15V
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最低工作温度 -65 °C
NXP 最低工作温度 -65 °C
TVS 二极管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
NXP TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
最小击穿电压 6.4V
NXP 最小击穿电压 6.4V
TVS 二极管 最小击穿电压 6.4V
NXP TVS 二极管 最小击穿电压 6.4V
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PESD5V0L6US,118产品技术参数资料
Bi-Direct ESD protect diode,PESD5V0L6U
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