PESD5V0V4UW,115,508-258,NXP PESD5V0V4UW,115 单向 TVS 二极管, 16W, 11V, 5针 SOT-665封装 ,NXP
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PESD5V0V4UW,115
NXP PESD5V0V4UW,115 单向 TVS 二极管, 16W, 11V, 5针 SOT-665封装
制造商零件编号:
PESD5V0V4UW,115
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
508-258
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PESD5V0V4UW,115产品详细信息
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, Nexperia
PESD5V0V4UW,115产品技术参数
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
1.7mm
尺寸
1.7 x 1.3 x 0.6mm
电容值
15pF
二极管配置
共阳极
方向类型
单向
封装类型
SOT-665
峰值脉冲功率耗散
16W
高度
0.6mm
宽度
1.3mm
浪涌电流额定值
1.5A
每片芯片元件数目
4
引脚数目
5
最大反向待机电压
5V
最大反向漏电流
25nA
最大峰值脉冲电流
1.5A
最大钳位电压
11V
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小击穿电压
6.4V
关键词
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安装类型 表面贴装
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测试电流 1mA
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TVS 二极管 测试电流 1mA
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长度 1.7mm
NXP 长度 1.7mm
TVS 二极管 长度 1.7mm
NXP TVS 二极管 长度 1.7mm
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
NXP 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
TVS 二极管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
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电容值 15pF
NXP 电容值 15pF
TVS 二极管 电容值 15pF
NXP TVS 二极管 电容值 15pF
二极管配置 共阳极
NXP 二极管配置 共阳极
TVS 二极管 二极管配置 共阳极
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方向类型 单向
NXP 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
NXP TVS 二极管 方向类型 单向
封装类型 SOT-665
NXP 封装类型 SOT-665
TVS 二极管 封装类型 SOT-665
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峰值脉冲功率耗散 16W
NXP 峰值脉冲功率耗散 16W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 16W
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高度 0.6mm
NXP 高度 0.6mm
TVS 二极管 高度 0.6mm
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宽度 1.3mm
NXP 宽度 1.3mm
TVS 二极管 宽度 1.3mm
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浪涌电流额定值 1.5A
NXP 浪涌电流额定值 1.5A
TVS 二极管 浪涌电流额定值 1.5A
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每片芯片元件数目 4
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TVS 二极管 最大反向漏电流 25nA
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最大峰值脉冲电流 1.5A
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TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 1.5A
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最大钳位电压 11V
NXP 最大钳位电压 11V
TVS 二极管 最大钳位电压 11V
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最低工作温度 -65 °C
NXP 最低工作温度 -65 °C
TVS 二极管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
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最小击穿电压 6.4V
NXP 最小击穿电压 6.4V
TVS 二极管 最小击穿电压 6.4V
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PESD5V0V4UW,115产品技术参数资料
Bi-Direct ESD protect diode,PESDxxV4U
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