TM3C476K016HBA,871-7135,Vishay TM3 系列 47μF ±10% SMD 钽电容器 TM3C476K016HBA, 16 V 直流, C 封装, 1Ω ESR, +125°C ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay TM3 系列 47μF ±10% SMD 钽电容器 TM3C476K016HBA, 16 V 直流, C 封装, 1Ω ESR, +125°C

制造商零件编号:
TM3C476K016HBA
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
871-7135
Vishay TM3C476K016HBA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TM3C476K016HBA产品详细信息

Vishay 钽 TM3 电容器

TM3 固体钽表面安装片状电容器 Tantamount,用于非生命支持医疗应用。

特点和优势:

高可靠性
Weibull 等级选项
0.005 CV 时直流泄漏
100% 浪涌电流测试(B、C、D、E 用例)
终端:100% 无光泽锡和锡/铅
标准 EIA 535BAAC 外壳尺寸,A 到 E

应用:

便携式电池供电产品存在于家庭医疗产品、血糖监测仪和仪表、输液泵、人体佩戴设备、分娩监控、人体温度监控、喷雾器、温度计

TM3C476K016HBA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6mm  
  尺寸  6 x 3.2 x 2.5mm  
  冲击电压  20V  
  等值串联电阻值  1Ω  
  电解质类型  固体  
  电介质材料系列  钽  
  电容值  47 μF  
  电压  16 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  C  
  高度  2.5mm  
  耗散因数  6%  
  技术  MnO2  
  容差  ±10%  
  容差 负  -10%  
  容差 正  +10%  
  深度  3.2mm  
  系列  TM3  
  泄漏电流  3.76 μA  
  引线直径  2.2 x 1mm  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

TM3C476K016HBA相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  钽电容器 安装类型 表面贴装  Vishay 钽电容器 安装类型 表面贴装   长度 6mm  Vishay 长度 6mm  钽电容器 长度 6mm  Vishay 钽电容器 长度 6mm   尺寸 6 x 3.2 x 2.5mm  Vishay 尺寸 6 x 3.2 x 2.5mm  钽电容器 尺寸 6 x 3.2 x 2.5mm  Vishay 钽电容器 尺寸 6 x 3.2 x 2.5mm   冲击电压 20V  Vishay 冲击电压 20V  钽电容器 冲击电压 20V  Vishay 钽电容器 冲击电压 20V   等值串联电阻值 1Ω  Vishay 等值串联电阻值 1Ω  钽电容器 等值串联电阻值 1Ω  Vishay 钽电容器 等值串联电阻值 1Ω   电解质类型 固体  Vishay 电解质类型 固体  钽电容器 电解质类型 固体  Vishay 钽电容器 电解质类型 固体   电介质材料系列 钽  Vishay 电介质材料系列 钽  钽电容器 电介质材料系列 钽  Vishay 钽电容器 电介质材料系列 钽   电容值 47 μF  Vishay 电容值 47 μF  钽电容器 电容值 47 μF  Vishay 钽电容器 电容值 47 μF   电压 16 V 直流  Vishay 电压 16 V 直流  钽电容器 电压 16 V 直流  Vishay 钽电容器 电压 16 V 直流   端子类型 表面安装  Vishay 端子类型 表面安装  钽电容器 端子类型 表面安装  Vishay 钽电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 C  Vishay 封装/外壳 C  钽电容器 封装/外壳 C  Vishay 钽电容器 封装/外壳 C   高度 2.5mm  Vishay 高度 2.5mm  钽电容器 高度 2.5mm  Vishay 钽电容器 高度 2.5mm   耗散因数 6%  Vishay 耗散因数 6%  钽电容器 耗散因数 6%  Vishay 钽电容器 耗散因数 6%   技术 MnO2  Vishay 技术 MnO2  钽电容器 技术 MnO2  Vishay 钽电容器 技术 MnO2   容差 ±10%  Vishay 容差 ±10%  钽电容器 容差 ±10%  Vishay 钽电容器 容差 ±10%   容差 负 -10%  Vishay 容差 负 -10%  钽电容器 容差 负 -10%  Vishay 钽电容器 容差 负 -10%   容差 正 +10%  Vishay 容差 正 +10%  钽电容器 容差 正 +10%  Vishay 钽电容器 容差 正 +10%   深度 3.2mm  Vishay 深度 3.2mm  钽电容器 深度 3.2mm  Vishay 钽电容器 深度 3.2mm   系列 TM3  Vishay 系列 TM3  钽电容器 系列 TM3  Vishay 钽电容器 系列 TM3   泄漏电流 3.76 μA  Vishay 泄漏电流 3.76 μA  钽电容器 泄漏电流 3.76 μA  Vishay 钽电容器 泄漏电流 3.76 μA   引线直径 2.2 x 1mm  Vishay 引线直径 2.2 x 1mm  钽电容器 引线直径 2.2 x 1mm  Vishay 钽电容器 引线直径 2.2 x 1mm   最低工作温度 -55°C  Vishay 最低工作温度 -55°C  钽电容器 最低工作温度 -55°C  Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Vishay 最高工作温度 +125°C  钽电容器 最高工作温度 +125°C  Vishay 钽电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号