TR3E475M075C1500,871-7107,Vishay Extreme TR3 系列 4.7μF ±20% SMD 钽电容器 TR3E475M075C1500, 75 V 直流, E 封装, 1.5Ω ESR, +125°C ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay Extreme TR3 系列 4.7μF ±20% SMD 钽电容器 TR3E475M075C1500, 75 V 直流, E 封装, 1.5Ω ESR, +125°C

制造商零件编号:
TR3E475M075C1500
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
871-7107
Vishay TR3E475M075C1500
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TR3E475M075C1500产品详细信息

Vishay TR3 系列

Vishay TR3 系列 Tantamount? 固体钽质片状电容器为模制外壳电容器,提供低 ESR 和高纹波载流能力。 TR3 Tantamont? 系列提供广泛的电容值和额定电压,适用于各种应用。

低等效串联电阻
较高的温度额定值
高纹波载流能力

TR3E475M075C1500产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  7.3mm  
  尺寸  7.3 x 4.3 x 4mm  
  冲击电压  75V  
  等值串联电阻值  1.5Ω  
  电解质类型  固体  
  电介质材料系列  钽  
  电容值  4.7 μF  
  电压  75 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  E  
  高度  4mm  
  耗散因数  10%  
  技术  MnO2  
  容差  ±20%  
  容差 负  -20%  
  容差 正  +20%  
  深度  4.3mm  
  系列  TR3  
  泄漏电流  3.5 μA  
  引线直径  2.4 x 1mm  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

TR3E475M075C1500相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  钽电容器 安装类型 表面贴装  Vishay 钽电容器 安装类型 表面贴装   长度 7.3mm  Vishay 长度 7.3mm  钽电容器 长度 7.3mm  Vishay 钽电容器 长度 7.3mm   尺寸 7.3 x 4.3 x 4mm  Vishay 尺寸 7.3 x 4.3 x 4mm  钽电容器 尺寸 7.3 x 4.3 x 4mm  Vishay 钽电容器 尺寸 7.3 x 4.3 x 4mm   冲击电压 75V  Vishay 冲击电压 75V  钽电容器 冲击电压 75V  Vishay 钽电容器 冲击电压 75V   等值串联电阻值 1.5Ω  Vishay 等值串联电阻值 1.5Ω  钽电容器 等值串联电阻值 1.5Ω  Vishay 钽电容器 等值串联电阻值 1.5Ω   电解质类型 固体  Vishay 电解质类型 固体  钽电容器 电解质类型 固体  Vishay 钽电容器 电解质类型 固体   电介质材料系列 钽  Vishay 电介质材料系列 钽  钽电容器 电介质材料系列 钽  Vishay 钽电容器 电介质材料系列 钽   电容值 4.7 μF  Vishay 电容值 4.7 μF  钽电容器 电容值 4.7 μF  Vishay 钽电容器 电容值 4.7 μF   电压 75 V 直流  Vishay 电压 75 V 直流  钽电容器 电压 75 V 直流  Vishay 钽电容器 电压 75 V 直流   端子类型 表面安装  Vishay 端子类型 表面安装  钽电容器 端子类型 表面安装  Vishay 钽电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 E  Vishay 封装/外壳 E  钽电容器 封装/外壳 E  Vishay 钽电容器 封装/外壳 E   高度 4mm  Vishay 高度 4mm  钽电容器 高度 4mm  Vishay 钽电容器 高度 4mm   耗散因数 10%  Vishay 耗散因数 10%  钽电容器 耗散因数 10%  Vishay 钽电容器 耗散因数 10%   技术 MnO2  Vishay 技术 MnO2  钽电容器 技术 MnO2  Vishay 钽电容器 技术 MnO2   容差 ±20%  Vishay 容差 ±20%  钽电容器 容差 ±20%  Vishay 钽电容器 容差 ±20%   容差 负 -20%  Vishay 容差 负 -20%  钽电容器 容差 负 -20%  Vishay 钽电容器 容差 负 -20%   容差 正 +20%  Vishay 容差 正 +20%  钽电容器 容差 正 +20%  Vishay 钽电容器 容差 正 +20%   深度 4.3mm  Vishay 深度 4.3mm  钽电容器 深度 4.3mm  Vishay 钽电容器 深度 4.3mm   系列 TR3  Vishay 系列 TR3  钽电容器 系列 TR3  Vishay 钽电容器 系列 TR3   泄漏电流 3.5 μA  Vishay 泄漏电流 3.5 μA  钽电容器 泄漏电流 3.5 μA  Vishay 钽电容器 泄漏电流 3.5 μA   引线直径 2.4 x 1mm  Vishay 引线直径 2.4 x 1mm  钽电容器 引线直径 2.4 x 1mm  Vishay 钽电容器 引线直径 2.4 x 1mm   最低工作温度 -55°C  Vishay 最低工作温度 -55°C  钽电容器 最低工作温度 -55°C  Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Vishay 最高工作温度 +125°C  钽电容器 最高工作温度 +125°C  Vishay 钽电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号