293D475X9050D2TE3,831-0291,Vishay 293D 系列 4.7μF ±10% SMD 钽电容器 293D475X9050D2TE3, 50 V 直流, D 封装, 1.2Ω ESR, +125°C ,Vishay
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293D475X9050D2TE3
Vishay 293D 系列 4.7μF ±10% SMD 钽电容器 293D475X9050D2TE3, 50 V 直流, D 封装, 1.2Ω ESR, +125°C
制造商零件编号:
293D475X9050D2TE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
831-0291
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
293D475X9050D2TE3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
7.3mm
尺寸
7.3 x 4.3 x 2.8mm
等值串联电阻值
1.2Ω
电解质类型
固体
电容值
4.7 μF
电压
50 V 直流
端子类型
表面安装
封装/外壳
D
高度
2.8mm
技术
MnO2
容差
±10%
容差 负
-10%
容差 正
+10%
深度
4.3mm
系列
293D
泄漏电流
2.4 μA
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+125°C
关键词
293D475X9050D2TE3相关搜索
安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
钽电容器 安装类型 表面贴装
Vishay 钽电容器 安装类型 表面贴装
长度 7.3mm
Vishay 长度 7.3mm
钽电容器 长度 7.3mm
Vishay 钽电容器 长度 7.3mm
尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm
Vishay 尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm
钽电容器 尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm
Vishay 钽电容器 尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm
等值串联电阻值 1.2Ω
Vishay 等值串联电阻值 1.2Ω
钽电容器 等值串联电阻值 1.2Ω
Vishay 钽电容器 等值串联电阻值 1.2Ω
电解质类型 固体
Vishay 电解质类型 固体
钽电容器 电解质类型 固体
Vishay 钽电容器 电解质类型 固体
电容值 4.7 μF
Vishay 电容值 4.7 μF
钽电容器 电容值 4.7 μF
Vishay 钽电容器 电容值 4.7 μF
电压 50 V 直流
Vishay 电压 50 V 直流
钽电容器 电压 50 V 直流
Vishay 钽电容器 电压 50 V 直流
端子类型 表面安装
Vishay 端子类型 表面安装
钽电容器 端子类型 表面安装
Vishay 钽电容器 端子类型 表面安装
封装/外壳 D
Vishay 封装/外壳 D
钽电容器 封装/外壳 D
Vishay 钽电容器 封装/外壳 D
高度 2.8mm
Vishay 高度 2.8mm
钽电容器 高度 2.8mm
Vishay 钽电容器 高度 2.8mm
技术 MnO2
Vishay 技术 MnO2
钽电容器 技术 MnO2
Vishay 钽电容器 技术 MnO2
容差 ±10%
Vishay 容差 ±10%
钽电容器 容差 ±10%
Vishay 钽电容器 容差 ±10%
容差 负 -10%
Vishay 容差 负 -10%
钽电容器 容差 负 -10%
Vishay 钽电容器 容差 负 -10%
容差 正 +10%
Vishay 容差 正 +10%
钽电容器 容差 正 +10%
Vishay 钽电容器 容差 正 +10%
深度 4.3mm
Vishay 深度 4.3mm
钽电容器 深度 4.3mm
Vishay 钽电容器 深度 4.3mm
系列 293D
Vishay 系列 293D
钽电容器 系列 293D
Vishay 钽电容器 系列 293D
泄漏电流 2.4 μA
Vishay 泄漏电流 2.4 μA
钽电容器 泄漏电流 2.4 μA
Vishay 钽电容器 泄漏电流 2.4 μA
最低工作温度 -55°C
Vishay 最低工作温度 -55°C
钽电容器 最低工作温度 -55°C
Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55°C
最高工作温度 +125°C
Vishay 最高工作温度 +125°C
钽电容器 最高工作温度 +125°C
Vishay 钽电容器 最高工作温度 +125°C
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293D475X9050D2TE3产品技术参数资料
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