T529P226M010AAE200,813-5933,KEMET T529 系列 22μF ±20% SMD 钽电容器 T529P226M010AAE200, 10 V, 2012-10 封装, 200mΩ ESR, +105°C ,KEMET
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T529P226M010AAE200
KEMET T529 系列 22μF ±20% SMD 钽电容器 T529P226M010AAE200, 10 V, 2012-10 封装, 200mΩ ESR, +105°C
制造商零件编号:
T529P226M010AAE200
制造商:
KEMET
KEMET
库存编号:
813-5933
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
T529P226M010AAE200产品详细信息
T529 系列
有机聚合体阴极技术
低等效串联电阻和高频电容保持力
非点火故障模式
自修复机制
T529P226M010AAE200产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 1mm
等值串联电阻值
200mΩ
电解质类型
固体
电介质材料系列
钽
电容值
22 μF
电压
10 V
封装/外壳
2012-10
高度
1mm
技术
聚合体
容差
±20%
容差 负
-20%
容差 正
+20%
深度
1.25mm
系列
T529
泄漏电流
33 μA
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+105°C
关键词
T529P226M010AAE200配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
KEMET TAN ENG KIT 30 130件 SMD 电容器套件
制造商零件编号:
TAN ENG KIT 30
品牌:
KEMET
库存编号:
867-5466
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等值串联电阻值 200mΩ
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电压 10 V
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KEMET 钽电容器 电压 10 V
封装/外壳 2012-10
KEMET 封装/外壳 2012-10
钽电容器 封装/外壳 2012-10
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高度 1mm
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技术 聚合体
KEMET 技术 聚合体
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容差 负 -20%
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容差 正 +20%
KEMET 容差 正 +20%
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深度 1.25mm
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系列 T529
KEMET 系列 T529
钽电容器 系列 T529
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泄漏电流 33 μA
KEMET 泄漏电流 33 μA
钽电容器 泄漏电流 33 μA
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最低工作温度 -55°C
KEMET 最低工作温度 -55°C
钽电容器 最低工作温度 -55°C
KEMET 钽电容器 最低工作温度 -55°C
最高工作温度 +105°C
KEMET 最高工作温度 +105°C
钽电容器 最高工作温度 +105°C
KEMET 钽电容器 最高工作温度 +105°C
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T529P226M010AAE200产品技术参数资料
Datasheet
KEMET T529P226M010AAE200 Datasheet
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