DS1230Y-70IND+,923-7790,Maxim DS1230Y-70IND+, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装 ,Maxim
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
存储器芯片
>
SRAM 存储器芯片
>
DS1230Y-70IND+
Maxim DS1230Y-70IND+, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
制造商零件编号:
DS1230Y-70IND+
制造商:
Maxim
Maxim
库存编号:
923-7790
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DS1230Y-70IND+产品详细信息
静态 RAM,Maxim Integrated
DS1230Y-70IND+产品技术参数
安装类型
通孔
长度
39.37mm
尺寸
39.37 x 18.8 x 10.67mm
存储器大小
256Kbit
低功率
是
封装类型
EDIP
高度
10.67mm
宽度
18.8mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
15Bit
引脚数目
28
字组数目
32K
组织
32K x 8 位
最长随机存取时间
70ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
4.5 V
关键词
DS1230Y-70IND+相关搜索
安装类型 通孔
Maxim 安装类型 通孔
SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
Maxim SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
长度 39.37mm
Maxim 长度 39.37mm
SRAM 存储器芯片 长度 39.37mm
Maxim SRAM 存储器芯片 长度 39.37mm
尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm
Maxim 尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm
Maxim SRAM 存储器芯片 尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm
存储器大小 256Kbit
Maxim 存储器大小 256Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
Maxim SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
低功率 是
Maxim 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Maxim SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 EDIP
Maxim 封装类型 EDIP
SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP
Maxim SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP
高度 10.67mm
Maxim 高度 10.67mm
SRAM 存储器芯片 高度 10.67mm
Maxim SRAM 存储器芯片 高度 10.67mm
宽度 18.8mm
Maxim 宽度 18.8mm
SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm
Maxim SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm
每字组的位元数目 8Bit
Maxim 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Maxim SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 15Bit
Maxim 位址总线宽 15Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
Maxim SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
引脚数目 28
Maxim 引脚数目 28
SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Maxim SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 32K
Maxim 字组数目 32K
SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
Maxim SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
组织 32K x 8 位
Maxim 组织 32K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
Maxim SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
最长随机存取时间 70ns
Maxim 最长随机存取时间 70ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
Maxim SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
最大工作电源电压 5.5 V
Maxim 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Maxim SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
Maxim 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Maxim SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Maxim 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Maxim SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 4.5 V
Maxim 最小工作电源电压 4.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
Maxim SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
DS1230Y-70IND+产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号