DS1230Y-70IND+,923-7790,Maxim DS1230Y-70IND+, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装 ,Maxim
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Maxim DS1230Y-70IND+, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装

制造商零件编号：
DS1230Y-70IND+
制造商：
Maxim Maxim
库存编号：
923-7790
Maxim DS1230Y-70IND+
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DS1230Y-70IND+产品详细信息

静态 RAM，Maxim Integrated

DS1230Y-70IND+产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  39.37mm  
  尺寸  39.37 x 18.8 x 10.67mm  
  存储器大小  256Kbit  
  低功率  是  
  封装类型  EDIP  
  高度  10.67mm  
  宽度  18.8mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  位址总线宽  15Bit  
  引脚数目  28  
  字组数目  32K  
  组织  32K x 8 位  
  最长随机存取时间  70ns  
  最大工作电源电压  5.5 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  4.5 V  
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DS1230Y-70IND+相关搜索

安装类型 通孔  Maxim 安装类型 通孔  SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔  Maxim SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔   长度 39.37mm  Maxim 长度 39.37mm  SRAM 存储器芯片 长度 39.37mm  Maxim SRAM 存储器芯片 长度 39.37mm   尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm  Maxim 尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm  Maxim SRAM 存储器芯片 尺寸 39.37 x 18.8 x 10.67mm   存储器大小 256Kbit  Maxim 存储器大小 256Kbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit  Maxim SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit   低功率 是  Maxim 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  Maxim SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 EDIP  Maxim 封装类型 EDIP  SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP  Maxim SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP   高度 10.67mm  Maxim 高度 10.67mm  SRAM 存储器芯片 高度 10.67mm  Maxim SRAM 存储器芯片 高度 10.67mm   宽度 18.8mm  Maxim 宽度 18.8mm  SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm  Maxim SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm   每字组的位元数目 8Bit  Maxim 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Maxim SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   位址总线宽 15Bit  Maxim 位址总线宽 15Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit  Maxim SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit   引脚数目 28  Maxim 引脚数目 28  SRAM 存储器芯片 引脚数目 28  Maxim SRAM 存储器芯片 引脚数目 28   字组数目 32K  Maxim 字组数目 32K  SRAM 存储器芯片 字组数目 32K  Maxim SRAM 存储器芯片 字组数目 32K   组织 32K x 8 位  Maxim 组织 32K x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位  Maxim SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位   最长随机存取时间 70ns  Maxim 最长随机存取时间 70ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns  Maxim SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns   最大工作电源电压 5.5 V  Maxim 最大工作电源电压 5.5 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V  Maxim SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V   最低工作温度 -40 °C  Maxim 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Maxim SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Maxim 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  Maxim SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 4.5 V  Maxim 最小工作电源电压 4.5 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V  Maxim SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
DS1230Y-70IND+
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IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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DS1230Y-70IND+
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NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

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DS1230Y-70IND
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NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

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DS1230Y-70-IND
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DS1230Y-70IND+
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NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1230Y-70IND+)

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DS1230Y-70IND+
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NON-VOLATILE SRAM, 256KBIT, 70NS, EDIP28

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DS1230Y-70IND+
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256k Nonvolatile SRAM

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
DS1230Y-70IND
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32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA28

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
DS1230Y-70IND+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+		2516519

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 70 ns, EDIP

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Maxim - DS1230Y-70IND+ - Maxim DS1230Y-70IND+, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
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DS1230Y-70IND+
品牌：
Maxim
库存编号：
799-2717
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DS1230Y-70IND+
品牌：
Maxim
库存编号：
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DS1230Y-70IND+|Maxim IntegratedDS1230Y-70IND+
Maxim Integrated		IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP
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DS1230Y-70IND|Maxim IntegratedDS1230Y-70IND
Maxim Integrated		IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP
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Maxim Integrated - DS1230Y-70IND+ - IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 70ns 28-EDIP

型号：DS1230Y-70IND+
仓库库存编号：DS1230Y-70IND+-ND

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Maxim Integrated - DS1230Y-70IND - IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 70ns 28-EDIP

型号：DS1230Y-70IND
仓库库存编号：DS1230Y-70IND-ND
别名：DS1230Y70IND <br>

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DS1230Y-70IND+产品技术参数资料

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