DS1245AB-100+,923-7756,Maxim DS1245AB-100+, 1024kbit SRAM 内存芯片, 128K x 8 位, 4.75 → 5.25 V, 32针 EDIP封装 ,Maxim
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Maxim DS1245AB-100+, 1024kbit SRAM 内存芯片, 128K x 8 位, 4.75 → 5.25 V, 32针 EDIP封装

制造商零件编号：
DS1245AB-100+
制造商：
Maxim Maxim
库存编号：
923-7756
Maxim DS1245AB-100+
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DS1245AB-100+产品详细信息

静态 RAM，Maxim Integrated

DS1245AB-100+产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  44.2mm  
  尺寸  44.2 x 18.8 x 10.92mm  
  存储器大小  1024Kbit  
  低功率  是  
  封装类型  EDIP  
  高度  10.92mm  
  宽度  18.8mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  位址总线宽  8Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  128K  
  组织  128K x 8 位  
  最长随机存取时间  70ns  
  最大工作电源电压  5.25 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  4.75 V  
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DS1245AB-100+相关搜索

安装类型 通孔  Maxim 安装类型 通孔  SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔  Maxim SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔   长度 44.2mm  Maxim 长度 44.2mm  SRAM 存储器芯片 长度 44.2mm  Maxim SRAM 存储器芯片 长度 44.2mm   尺寸 44.2 x 18.8 x 10.92mm  Maxim 尺寸 44.2 x 18.8 x 10.92mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 44.2 x 18.8 x 10.92mm  Maxim SRAM 存储器芯片 尺寸 44.2 x 18.8 x 10.92mm   存储器大小 1024Kbit  Maxim 存储器大小 1024Kbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 1024Kbit  Maxim SRAM 存储器芯片 存储器大小 1024Kbit   低功率 是  Maxim 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  Maxim SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 EDIP  Maxim 封装类型 EDIP  SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP  Maxim SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP   高度 10.92mm  Maxim 高度 10.92mm  SRAM 存储器芯片 高度 10.92mm  Maxim SRAM 存储器芯片 高度 10.92mm   宽度 18.8mm  Maxim 宽度 18.8mm  SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm  Maxim SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm   每字组的位元数目 8Bit  Maxim 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Maxim SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   位址总线宽 8Bit  Maxim 位址总线宽 8Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit  Maxim SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit   引脚数目 32  Maxim 引脚数目 32  SRAM 存储器芯片 引脚数目 32  Maxim SRAM 存储器芯片 引脚数目 32   字组数目 128K  Maxim 字组数目 128K  SRAM 存储器芯片 字组数目 128K  Maxim SRAM 存储器芯片 字组数目 128K   组织 128K x 8 位  Maxim 组织 128K x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 128K x 8 位  Maxim SRAM 存储器芯片 组织 128K x 8 位   最长随机存取时间 70ns  Maxim 最长随机存取时间 70ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns  Maxim SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns   最大工作电源电压 5.25 V  Maxim 最大工作电源电压 5.25 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.25 V  Maxim SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.25 V   最低工作温度 -40 °C  Maxim 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Maxim SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Maxim 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  Maxim SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 4.75 V  Maxim 最小工作电源电压 4.75 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V  Maxim SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V  
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DS1245AB-100+
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IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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DS1245AB-100+
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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1245AB-100+)

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DS1245AB-100+
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NON-VOLATILE SRAM, 1MBIT, 100NS, EDIP-32

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1024k Nonvolatile SRAM

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Maxim Integrated - DS1245AB-100+ - IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP

型号：DS1245AB-100+
仓库库存编号：DS1245AB-100+-ND
别名：DS1245AB100 <br>

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Maxim Integrated - DS1245AB-100 - IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP

型号：DS1245AB-100
仓库库存编号：DS1245AB-100-ND

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Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
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Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
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DS1245AB-100+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-100+		2516521

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 100 ns, EDIP

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Maxim - DS1245AB-100+ - Maxim DS1245AB-100+, 1024kbit SRAM 内存芯片, 128K x 8 位, 4.75 → 5.25 V, 32针 EDIP封装
制造商零件编号：
DS1245AB-100+
品牌：
Maxim
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制造商零件编号：
DS1245AB-100+
品牌：
Maxim
库存编号：
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DS1245AB-100+产品技术参数资料

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