CY62167EV30LL-45ZXI,920-1053,Cypress Semiconductor CY62167EV30LL-45ZXI, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 48针 TSOP封装 ,Cypress Semiconductor
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CY62167EV30LL-45ZXI
Cypress Semiconductor CY62167EV30LL-45ZXI, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 48针 TSOP封装
制造商零件编号:
CY62167EV30LL-45ZXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
920-1053
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY62167EV30LL-45ZXI产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY62167EV30LL-45ZXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.4mm
尺寸
18.4 x 12 x 1.05mm
存储器大小
16Mbit
低功率
是
封装类型
TSOP
高度
1.05mm
宽度
12mm
每字组的位元数目
16Bit
时钟频率
1MHz
位址总线宽
20Bit
引脚数目
48
字组数目
1M
组织
1M x 16
最长随机存取时间
45ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.2 V
关键词
CY62167EV30LL-45ZXI相关搜索
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长度 18.4mm
Cypress Semiconductor 长度 18.4mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.4mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 18.4mm
尺寸 18.4 x 12 x 1.05mm
Cypress Semiconductor 尺寸 18.4 x 12 x 1.05mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.4 x 12 x 1.05mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 18.4 x 12 x 1.05mm
存储器大小 16Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 16Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
低功率 是
Cypress Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.05mm
Cypress Semiconductor 高度 1.05mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
宽度 12mm
Cypress Semiconductor 宽度 12mm
SRAM 存储器芯片 宽度 12mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 12mm
每字组的位元数目 16Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 16Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor 时钟频率 1MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
位址总线宽 20Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 20Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 20Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 20Bit
引脚数目 48
Cypress Semiconductor 引脚数目 48
SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
字组数目 1M
Cypress Semiconductor 字组数目 1M
SRAM 存储器芯片 字组数目 1M
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 1M
组织 1M x 16
Cypress Semiconductor 组织 1M x 16
SRAM 存储器芯片 组织 1M x 16
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 1M x 16
最长随机存取时间 45ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 45ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
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最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
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最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.2 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
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CY62167EV30LL-45ZXI产品技术参数资料
CY62167EV30 MoBL, 16Mbit (1M x 16 / 2M x 8) Static RAM
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