CY7C1049DV33-10VXI,920-1044,Cypress Semiconductor CY7C1049DV33-10VXI, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 3 → 3.6 V, 36针 SOJ封装 ,Cypress Semiconductor
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CY7C1049DV33-10VXI
Cypress Semiconductor CY7C1049DV33-10VXI, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 3 → 3.6 V, 36针 SOJ封装
制造商零件编号:
CY7C1049DV33-10VXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
920-1044
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY7C1049DV33-10VXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
23.62mm
尺寸
23.62 x 10.29 x 2.29mm
存储器大小
4Mbit
低功率
是
封装类型
SOJ
高度
2.29mm
计时类型
异步
宽度
10.29mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
19Bit
引脚数目
36
字组数目
512K
组织
512K 个字 x 8 位
最长随机存取时间
10ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
3 V
关键词
CY7C1049DV33-10VXI相关搜索
安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 23.62mm
Cypress Semiconductor 长度 23.62mm
SRAM 存储器芯片 长度 23.62mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 23.62mm
尺寸 23.62 x 10.29 x 2.29mm
Cypress Semiconductor 尺寸 23.62 x 10.29 x 2.29mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 23.62 x 10.29 x 2.29mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 23.62 x 10.29 x 2.29mm
存储器大小 4Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 4Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit
低功率 是
Cypress Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 SOJ
Cypress Semiconductor 封装类型 SOJ
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
高度 2.29mm
Cypress Semiconductor 高度 2.29mm
SRAM 存储器芯片 高度 2.29mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 2.29mm
计时类型 异步
Cypress Semiconductor 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 10.29mm
Cypress Semiconductor 宽度 10.29mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 19Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 19Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit
引脚数目 36
Cypress Semiconductor 引脚数目 36
SRAM 存储器芯片 引脚数目 36
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 36
字组数目 512K
Cypress Semiconductor 字组数目 512K
SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
组织 512K 个字 x 8 位
Cypress Semiconductor 组织 512K 个字 x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 512K 个字 x 8 位
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 512K 个字 x 8 位
最长随机存取时间 10ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 10ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns
最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 3 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 3 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
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CY7C1049DV33-10VXI产品技术参数资料
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