RMLV0408EGSA-4S2#AA0,901-5837,Renesas Electronics RMLV0408EGSA-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装 ,Renesas Electronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Renesas Electronics RMLV0408EGSA-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装

制造商零件编号：
RMLV0408EGSA-4S2#AA0
库存编号：
901-5837
Renesas Electronics RMLV0408EGSA-4S2#AA0
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RMLV0408EGSA-4S2#AA0产品详细信息

低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas Electronics

RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。

单 2.7V 至 3.6V 电源
存取时间：45ns（最大值）
相等存取和循环时间
常见数据输入和输出，带三态输出
所有输入和输出均兼容 TTL
适合于电池备份操作

RMLV0408EGSA-4S2#AA0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  11.9mm  
  尺寸  11.9 x 8.1 x 1mm  
  存储器大小  4Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  宽度  8.1mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  8Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  512K  
  组织  512K x 8 位  
  最长随机存取时间  45ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
关键词         

RMLV0408EGSA-4S2#AA0相关搜索

安装类型 表面贴装  Renesas Electronics 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 11.9mm  Renesas Electronics 长度 11.9mm  SRAM 存储器芯片 长度 11.9mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 11.9mm   尺寸 11.9 x 8.1 x 1mm  Renesas Electronics 尺寸 11.9 x 8.1 x 1mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 11.9 x 8.1 x 1mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 11.9 x 8.1 x 1mm   存储器大小 4Mbit  Renesas Electronics 存储器大小 4Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit   低功率 是  Renesas Electronics 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 TSOP  Renesas Electronics 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1mm  Renesas Electronics 高度 1mm  SRAM 存储器芯片 高度 1mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 高度 1mm   宽度 8.1mm  Renesas Electronics 宽度 8.1mm  SRAM 存储器芯片 宽度 8.1mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 8.1mm   每字组的位元数目 8Bit  Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   时钟频率 1MHz  Renesas Electronics 时钟频率 1MHz  SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz   位址总线宽 8Bit  Renesas Electronics 位址总线宽 8Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit   引脚数目 32  Renesas Electronics 引脚数目 32  SRAM 存储器芯片 引脚数目 32  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 32   字组数目 512K  Renesas Electronics 字组数目 512K  SRAM 存储器芯片 字组数目 512K  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 512K   组织 512K x 8 位  Renesas Electronics 组织 512K x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 512K x 8 位  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 512K x 8 位   最长随机存取时间 45ns  Renesas Electronics 最长随机存取时间 45ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns   最大工作电源电压 3.6 V  Renesas Electronics 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  Renesas Electronics 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Renesas Electronics 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.7 V  Renesas Electronics 最小工作电源电压 2.7 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

RMLV0408EGSA-4S2#AA0产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号