RMLV0408EGSB-4S2#AA0,901-5830,Renesas Electronics RMLV0408EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装 ,Renesas Electronics
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Renesas Electronics RMLV0408EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装

制造商零件编号：
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
库存编号：
901-5830
Renesas Electronics RMLV0408EGSB-4S2#AA0
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RMLV0408EGSB-4S2#AA0产品详细信息

低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas Electronics

RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。

单 2.7V 至 3.6V 电源
存取时间：45ns（最大值）
相等存取和循环时间
常见数据输入和输出，带三态输出
所有输入和输出均兼容 TTL
适合于电池备份操作

RMLV0408EGSB-4S2#AA0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  11.9mm  
  尺寸  11.9 x 8.1 x 1mm  
  存储器大小  4Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  宽度  8.1mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  8Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  512K  
  组织  512K x 8 位  
  最长随机存取时间  45ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

RMLV0408EGSB-4S2#AA0产品技术参数资料

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