R1LP0408DSB-5SI#B0,901-5824,Renesas Electronics R1LP0408DSB-5SI#B0, 4000kbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 32针 TSOP封装 ,Renesas Electronics
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R1LP0408DSB-5SI#B0
Renesas Electronics R1LP0408DSB-5SI#B0, 4000kbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 32针 TSOP封装
制造商零件编号:
R1LP0408DSB-5SI#B0
制造商:
Renesas Electronics
Renesas Electronics
库存编号:
901-5824
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
R1LP0408DSB-5SI#B0产品详细信息
低功率 SRAM,R1LP 系列,Renesas Electronics
R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 4.5V 至 5.5V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
R1LP0408DSB-5SI#B0产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
21.05mm
尺寸
21.05 x 10.26 x 1mm
存储器大小
4000Kbit
低功率
是
封装类型
TSOP
高度
1mm
计时类型
异步
宽度
10.26mm
每字组的位元数目
8Bit
引脚数目
32
字组数目
512K
组织
512K x 8 位
最长随机存取时间
55ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
85°C
最小工作电源电压
4.5 V
关键词
R1LP0408DSB-5SI#B0相关搜索
安装类型 表面贴装
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 21.05mm
Renesas Electronics 长度 21.05mm
SRAM 存储器芯片 长度 21.05mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 21.05mm
尺寸 21.05 x 10.26 x 1mm
Renesas Electronics 尺寸 21.05 x 10.26 x 1mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 21.05 x 10.26 x 1mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 21.05 x 10.26 x 1mm
存储器大小 4000Kbit
Renesas Electronics 存储器大小 4000Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 4000Kbit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 4000Kbit
低功率 是
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SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 TSOP
Renesas Electronics 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
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高度 1mm
Renesas Electronics 高度 1mm
SRAM 存储器芯片 高度 1mm
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计时类型 异步
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SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 10.26mm
Renesas Electronics 宽度 10.26mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.26mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 10.26mm
每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
引脚数目 32
Renesas Electronics 引脚数目 32
SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
字组数目 512K
Renesas Electronics 字组数目 512K
SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
组织 512K x 8 位
Renesas Electronics 组织 512K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 512K x 8 位
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 512K x 8 位
最长随机存取时间 55ns
Renesas Electronics 最长随机存取时间 55ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
最大工作电源电压 5.5 V
Renesas Electronics 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
Renesas Electronics 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 85°C
Renesas Electronics 最高工作温度 85°C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 85°C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 85°C
最小工作电源电压 4.5 V
Renesas Electronics 最小工作电源电压 4.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
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R1LP0408DSB-5SI#B0产品技术参数资料
R1LP0408D Series, 4Mb Advanced LPSRAM (512k word x 8-bit)
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