R1LP5256ESP-5SI#B0,901-5812,Renesas Electronics R1LP5256ESP-5SI#B0, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 1MHz, 32针 SOP封装 ,Renesas Electronics
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R1LP5256ESP-5SI#B0
Renesas Electronics R1LP5256ESP-5SI#B0, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 1MHz, 32针 SOP封装
制造商零件编号:
R1LP5256ESP-5SI#B0
制造商:
Renesas Electronics
Renesas Electronics
库存编号:
901-5812
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
R1LP5256ESP-5SI#B0产品详细信息
低功率 SRAM,R1LP 系列,Renesas Electronics
R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 4.5V 至 5.5V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
R1LP5256ESP-5SI#B0产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
17.7mm
尺寸
17.7 x 8.6 x 2.35mm
存储器大小
256Kbit
低功率
是
封装类型
SOP
高度
2.35mm
宽度
8.6mm
每字组的位元数目
8Bit
时钟频率
1MHz
位址总线宽
8Bit
引脚数目
32
字组数目
32K
组织
32K x 8 位
最长随机存取时间
55ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
4.5 V
关键词
R1LP5256ESP-5SI#B0相关搜索
安装类型 表面贴装
Renesas Electronics 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 17.7mm
Renesas Electronics 长度 17.7mm
SRAM 存储器芯片 长度 17.7mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 17.7mm
尺寸 17.7 x 8.6 x 2.35mm
Renesas Electronics 尺寸 17.7 x 8.6 x 2.35mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 17.7 x 8.6 x 2.35mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 17.7 x 8.6 x 2.35mm
存储器大小 256Kbit
Renesas Electronics 存储器大小 256Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
低功率 是
Renesas Electronics 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 SOP
Renesas Electronics 封装类型 SOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOP
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 封装类型 SOP
高度 2.35mm
Renesas Electronics 高度 2.35mm
SRAM 存储器芯片 高度 2.35mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 高度 2.35mm
宽度 8.6mm
Renesas Electronics 宽度 8.6mm
SRAM 存储器芯片 宽度 8.6mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 8.6mm
每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
时钟频率 1MHz
Renesas Electronics 时钟频率 1MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
位址总线宽 8Bit
Renesas Electronics 位址总线宽 8Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
引脚数目 32
Renesas Electronics 引脚数目 32
SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
字组数目 32K
Renesas Electronics 字组数目 32K
SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
组织 32K x 8 位
Renesas Electronics 组织 32K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
最长随机存取时间 55ns
Renesas Electronics 最长随机存取时间 55ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
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最大工作电源电压 5.5 V
Renesas Electronics 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 -40 °C
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SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +85 °C
Renesas Electronics 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 4.5 V
Renesas Electronics 最小工作电源电压 4.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
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R1LP5256ESP-5SI#B0产品技术参数资料
R1LP5256E Series, 256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8-bit)
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