R1LV1616HBG-5SI#B0,901-5792,Renesas Electronics R1LV1616HBG-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装 ,Renesas Electronics
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Renesas Electronics R1LV1616HBG-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装

制造商零件编号：
R1LV1616HBG-5SI#B0
库存编号：
901-5792
Renesas Electronics R1LV1616HBG-5SI#B0
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R1LV1616HBG-5SI#B0产品详细信息

宽温度范围 SRAM，Renesas Electronics

R1LV1616HBG-5SI#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  8mm  
  尺寸  8 x 9.5 x 0.9mm  
  存储器大小  16Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TFBGA  
  高度  0.9mm  
  宽度  9.5mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  16Bit  
  引脚数目  48  
  字组数目  1M  
  组织  16M x 1 位  
  最长随机存取时间  55ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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R1LV1616HBG-5SI#B0
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SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin FBGA

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SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA (Alt: R1LV1616HBG-5SI#B0)

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品牌：
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R1LV1616HBG-5SI#B0|Renesas Electronics AmericaR1LV1616HBG-5SI#B0
Renesas Electronics America		IC SRAM 16MBIT 50NS 48FBGA
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