R1RW0416DGE-2PR#B0,901-5770,Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B0, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 44针 SOJ封装 ,Renesas Electronics
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Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B0, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 44针 SOJ封装

制造商零件编号：
R1RW0416DGE-2PR#B0
库存编号：
901-5770
Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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R1RW0416DGE-2PR-B0
库存编号:R1RW0416DGE-2PR-B0-ND		 Renesas Electronics Corporation IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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R1RW0416DGE-2PR#B0
库存编号:86007508		Renesas Electronics CorporationSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R4117
9起订		9+
25+
100+
500+
1000+
￥603.69
￥591.62
￥567.47
￥543.32
￥513.14
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEzJlBOPTg2MDA3NTA4"],"cvcModel":["R1RW0416DGE-2PR#B0"],"cvcBrand":["Renesas Electronics Corporation"],"cvcNumberAll":["9,25,100,500,1000,"],"cvcPriceAll":["603.69,591.62,567.47,543.32,513.14,"],"maxnum":["4117"],"minnum":["9"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],
R1RW0416DGE-2PR#B0
库存编号:86033978		Renesas Electronics CorporationSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R420
9起订		9+
25+
100+
500+
1000+
￥603.69
￥591.62
￥567.47
￥543.32
￥513.14
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEzJlBOPTg2MDMzOTc4"],"cvcModel":["R1RW0416DGE-2PR#B0"],"cvcBrand":["Renesas Electronics Corporation"],"cvcNumberAll":["9,25,100,500,1000,"],"cvcPriceAll":["603.69,591.62,567.47,543.32,513.14,"],"maxnum":["420"],"minnum":["9"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],

R1RW0416DGE-2PR#B0产品详细信息

低功率 SRAM，R1RW 系列，Renesas Electronics

R1RW 系列是静态 RAM，最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用，如系统中的缓存和缓冲存储器。

单 3.3V 电源
存取时间：10ns/12ns
无需时钟或定时闪光灯
相等存取和循环时间
所有输入和输出均兼容 TTL

R1RW0416DGE-2PR#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  28.7mm  
  尺寸  28.7 x 10.29 x 2.75mm  
  存储器大小  4Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  SOJ  
  高度  2.75mm  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  16Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  256K  
  组织  256K x 16 位  
  最长随机存取时间  12ns  
  最大工作电源电压  5.5 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  4.5 V  
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
R1RP0416DGE-2PR#B0
[更多]		 Renesas Electronics Corporation

SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
R1RP0416DGE-2PR#B0
[更多]		 Renesas Electronics Corporation

SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ Tube

RoHS: Compliant

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Renesas Electronics - R1RW0416DGE-2PR#B0 - Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B0, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 44针 SOJ封装
制造商零件编号：
R1RW0416DGE-2PR#B0
品牌：
Renesas Electronics
库存编号：
901-5770
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图R1RW0416DGE-2PR#B0
Renesas Electronics		原厂原装货
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

R1RW0416DGE-2PR#B0产品技术参数资料

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