R1RW0408DGE-2PI#B0,901-5767,Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PI#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 36针 SOJ封装 ,Renesas Electronics
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
存储器芯片
>
SRAM 存储器芯片
>
R1RW0408DGE-2PI#B0
Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PI#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 36针 SOJ封装
制造商零件编号:
R1RW0408DGE-2PI#B0
制造商:
Renesas Electronics
Renesas Electronics
库存编号:
901-5767
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
R1RW0408DGE-2PI#B0产品详细信息
宽温度范围 SRAM,Renesas Electronics
R1RW0408DGE-2PI#B0产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
23.62mm
尺寸
23.62 x 10.29 x 2.75mm
存储器大小
4Mbit
封装类型
SOJ
高度
2.75mm
宽度
10.29mm
每字组的位元数目
8Bit
时钟频率
1MHz
位址总线宽
8Bit
引脚数目
36
字组数目
512K
组织
512K x 8 位
最长随机存取时间
12ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
3 V
关键词
R1RW0408DGE-2PI#B0相关搜索
安装类型 表面贴装
Renesas Electronics 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 23.62mm
Renesas Electronics 长度 23.62mm
SRAM 存储器芯片 长度 23.62mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 23.62mm
尺寸 23.62 x 10.29 x 2.75mm
Renesas Electronics 尺寸 23.62 x 10.29 x 2.75mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 23.62 x 10.29 x 2.75mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 23.62 x 10.29 x 2.75mm
存储器大小 4Mbit
Renesas Electronics 存储器大小 4Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit
封装类型 SOJ
Renesas Electronics 封装类型 SOJ
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
高度 2.75mm
Renesas Electronics 高度 2.75mm
SRAM 存储器芯片 高度 2.75mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 高度 2.75mm
宽度 10.29mm
Renesas Electronics 宽度 10.29mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
时钟频率 1MHz
Renesas Electronics 时钟频率 1MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
位址总线宽 8Bit
Renesas Electronics 位址总线宽 8Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
引脚数目 36
Renesas Electronics 引脚数目 36
SRAM 存储器芯片 引脚数目 36
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 36
字组数目 512K
Renesas Electronics 字组数目 512K
SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
组织 512K x 8 位
Renesas Electronics 组织 512K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 512K x 8 位
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 512K x 8 位
最长随机存取时间 12ns
Renesas Electronics 最长随机存取时间 12ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 12ns
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 12ns
最大工作电源电压 3.6 V
Renesas Electronics 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Renesas Electronics 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Renesas Electronics 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 3 V
Renesas Electronics 最小工作电源电压 3 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
R1RW0408DGE-2PI#B0产品技术参数资料
R1RW0408DI Series, Wide Temperature Range Version 4Mb High Speed SRAM (512k word x 8-bit)
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号