R1RW0408DGE-2PR#B0,901-5761,Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PR#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 36针 SOJ封装 ,Renesas Electronics
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Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PR#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 36针 SOJ封装

制造商零件编号：
R1RW0408DGE-2PR#B0
库存编号：
901-5761
Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PR#B0
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

R1RW0408DGE-2PR#B0产品详细信息

低功率 SRAM，R1RW 系列，Renesas Electronics

R1RW 系列是静态 RAM，最适用于需要高速、高密度存储器和宽比特宽度配置的应用，如系统中的缓存和缓冲存储器。

单 3.3V 电源
存取时间：10ns/12ns
无需时钟或定时闪光灯
相等存取和循环时间
所有输入和输出均兼容 TTL

R1RW0408DGE-2PR#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  23.62mm  
  尺寸  23.62 x 10.29 x 3.05mm  
  存储器大小  4Mbit  
  封装类型  SOJ  
  高度  3.05mm  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  8Bit  
  引脚数目  36  
  字组数目  512K  
  组织  512K x 8 位  
  最长随机存取时间  12ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  3 V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

R1RW0408DGE-2PR#B0产品技术参数资料

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