R1LV1616RBG-7SI#B0,901-5727,Renesas Electronics R1LV1616RBG-7SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16 位,2M x 8 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装 ,Renesas Electronics
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Renesas Electronics R1LV1616RBG-7SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16 位,2M x 8 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装

制造商零件编号:
R1LV1616RBG-7SI#B0
库存编号:
901-5727
Renesas Electronics R1LV1616RBG-7SI#B0
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R1LV1616RBG-7SI-B0
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Renesas Electronics Corporation IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA0
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R1LV1616RBG-7SI#B0产品详细信息

低功率 SRAM,R1LV 系列,Renesas Electronics

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出:OR-tie 能力

R1LV1616RBG-7SI#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  7.5mm  
  尺寸  7.5 x 8.5 x 0.8mm  
  存储器大小  16Mbit  
  封装类型  TFBGA  
  高度  0.8mm  
  宽度  8.5mm  
  每字组的位元数目  8 bit, 16 bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  8 bit, 16 bit  
  引脚数目  48  
  字组数目  1M, 2M  
  组织  1M x 16 位,2M x 8 位  
  最长随机存取时间  70ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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Renesas Electronics Corporation

IC SRAM 16MBIT 70NS 48FBGA

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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R1LV1616RBG-7SI#B0
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Renesas Electronics Corporation

SRAM Advanced LPSRAM, 16Mb, 1M x 16, Pb free

RoHS: Compliant

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R1LV1616RBG-7SI#B0
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Renesas Electronics Corporation

SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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R1LV1616RBG-7SI#B0
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Renesas Electronics Corporation

SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray

RoHS: Compliant

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无图R1LV1616RBG-7SI#B0
Renesas Electronics
原厂原装货
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Renesas Electronics America - R1LV1616RBG-7SI#B0 - IC SRAM 16MBIT 70NS 48FBGA
Renesas Electronics America
IC SRAM 16MBIT 70NS 48FBGA

详细描述:SRAM 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 70ns 48-FBGA(7.5x8.5)

型号:R1LV1616RBG-7SI#B0
仓库库存编号:R1LV1616RBG-7SI#B0-ND

无铅
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Renesas Electronics - R1LV1616RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics R1LV1616RBG-7SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16 位,2M x 8 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装

制造商零件编号:
R1LV1616RBG-7SI#B0
品牌:
Renesas Electronics
库存编号:
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