CY7C1370DV25-167AXC,827-2622,Cypress Semiconductor CY7C1370DV25-167AXC, 18Mbit SRAM 内存, 512k x 36, 167MHz, 2.38 → 2.63 V, 100针 TQFP封装 ,Cypress Semiconductor
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CY7C1370DV25-167AXC
Cypress Semiconductor CY7C1370DV25-167AXC, 18Mbit SRAM 内存, 512k x 36, 167MHz, 2.38 → 2.63 V, 100针 TQFP封装
制造商零件编号:
CY7C1370DV25-167AXC
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2622
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY7C1370DV25-167AXC产品详细信息
同步 SRAM,Cypress Semiconductor
CY7C1370DV25-167AXC产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
20mm
尺寸
20 x 14 x 1.4mm
存储器大小
18Mbit
封装类型
TQFP
高度
1.4mm
计时类型
异步,同步
宽度
14mm
每字组的位元数目
36Bit
时钟频率
167MHz
位址总线宽
3Bit
引脚数目
100
字组数目
512K
组织
512k x 36
最长随机存取时间
3.4ns
最大工作电源电压
2.63 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
2.38 V
关键词
CY7C1370DV25-167AXC相关搜索
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 20mm
Cypress Semiconductor 长度 20mm
SRAM 存储器芯片 长度 20mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 20mm
尺寸 20 x 14 x 1.4mm
Cypress Semiconductor 尺寸 20 x 14 x 1.4mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 20 x 14 x 1.4mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 20 x 14 x 1.4mm
存储器大小 18Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 18Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 18Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 18Mbit
封装类型 TQFP
Cypress Semiconductor 封装类型 TQFP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TQFP
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TQFP
高度 1.4mm
Cypress Semiconductor 高度 1.4mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.4mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.4mm
计时类型 异步,同步
Cypress Semiconductor 计时类型 异步,同步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步,同步
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 异步,同步
宽度 14mm
Cypress Semiconductor 宽度 14mm
SRAM 存储器芯片 宽度 14mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 14mm
每字组的位元数目 36Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 36Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 36Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 36Bit
时钟频率 167MHz
Cypress Semiconductor 时钟频率 167MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 167MHz
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 167MHz
位址总线宽 3Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 3Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 3Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 3Bit
引脚数目 100
Cypress Semiconductor 引脚数目 100
SRAM 存储器芯片 引脚数目 100
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 100
字组数目 512K
Cypress Semiconductor 字组数目 512K
SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
组织 512k x 36
Cypress Semiconductor 组织 512k x 36
SRAM 存储器芯片 组织 512k x 36
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 512k x 36
最长随机存取时间 3.4ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 3.4ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 3.4ns
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 3.4ns
最大工作电源电压 2.63 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 2.63 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 2.63 V
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最低工作温度 0 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 0 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +70 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 2.38 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.38 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.38 V
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CY7C1370DV25-167AXC产品技术参数资料
CY7C1370DV25, CY7C1372DV25, 18Mbit (512K x 36 / 1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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