CY7C107D-10VXI,827-2600,Cypress Semiconductor CY7C107D-10VXI, 1Mbit SRAM 内存, 1M x 1, 100MHz, 4.5 至 5.5 V, 28针 SOJ封装 ,Cypress Semiconductor
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CY7C107D-10VXI
Cypress Semiconductor CY7C107D-10VXI, 1Mbit SRAM 内存, 1M x 1, 100MHz, 4.5 至 5.5 V, 28针 SOJ封装
制造商零件编号:
CY7C107D-10VXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2600
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY7C107D-10VXI产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY7C107D-10VXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.54mm
尺寸
0.73 x 0.405 x 0.123in
存储器大小
1Mbit
低功率
是
封装类型
SOJ
高度
3.12mm
计时类型
异步
宽度
0.405in
每字组的位元数目
1Bit
时钟频率
100MHz
位址总线宽
20Bit
引脚数目
28
字组数目
1M
组织
1M x 1
最长随机存取时间
10ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
4.5 V
关键词
CY7C107D-10VXI相关搜索
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 18.54mm
Cypress Semiconductor 长度 18.54mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.54mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 18.54mm
尺寸 0.73 x 0.405 x 0.123in
Cypress Semiconductor 尺寸 0.73 x 0.405 x 0.123in
SRAM 存储器芯片 尺寸 0.73 x 0.405 x 0.123in
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 0.73 x 0.405 x 0.123in
存储器大小 1Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 1Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
低功率 是
Cypress Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 SOJ
Cypress Semiconductor 封装类型 SOJ
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
高度 3.12mm
Cypress Semiconductor 高度 3.12mm
SRAM 存储器芯片 高度 3.12mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 3.12mm
计时类型 异步
Cypress Semiconductor 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 0.405in
Cypress Semiconductor 宽度 0.405in
SRAM 存储器芯片 宽度 0.405in
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 0.405in
每字组的位元数目 1Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 1Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 1Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 1Bit
时钟频率 100MHz
Cypress Semiconductor 时钟频率 100MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 100MHz
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 100MHz
位址总线宽 20Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 20Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 20Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 20Bit
引脚数目 28
Cypress Semiconductor 引脚数目 28
SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 1M
Cypress Semiconductor 字组数目 1M
SRAM 存储器芯片 字组数目 1M
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 1M
组织 1M x 1
Cypress Semiconductor 组织 1M x 1
SRAM 存储器芯片 组织 1M x 1
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 1M x 1
最长随机存取时间 10ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 10ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns
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最大工作电源电压 5.5 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 4.5 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 4.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
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CY7C107D-10VXI产品技术参数资料
CY7C107D, CY7C1007D, 1Mbit (1M x 1) Static RAM
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